[发明专利]薄膜晶体管及其有源层和应用在审
| 申请号： | 201710923094.3 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN108346702A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 董婷 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 林青中 |
| 地址： | 510000 广东省广州中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源层 半导体层 导体层 载流子 两层 薄膜晶体管 漂移 交替层叠 输运特性 迁移率 电阻 应用 | ||
1.一种薄膜晶体管的有源层，其特征在于，由交替层叠的半导体层和导体层构成，所述导体层的层数为至少一层，所述半导体层的层数至少两层；所述导体层位于相邻的两层所述半导体层之间。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的有源层，其特征在于，所述导体层的材料为金属、合金或金属氧化物。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的有源层，其特征在于，所述导体层的材料为Au、Ag、Cu、Pt、Mg、Ti、Al、Al-Nd合金、ITO、FTO中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的有源层，其特征在于，各所述半导体层的材料分别独立的任选自二元氧化物、三元氧化物、四元氧化物中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的有源层，其特征在于，所述二元氧化物为ZnO、In2O3或Ga2O3；所述三元氧化物为InZnO、ZnSnO、ZrInO、ZrSnO、SiSnO或SiInO；所述四元氧化物为InGaZnO、InHfZnO、InSiZnO。
6.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管的有源层，其特征在于，各所述半导体层中的其载流子浓度之和为1013～1018个/cm3。
7.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管的有源层，其特征在于，各所述半导体层的总厚度为10～100nm；所述导体层的厚度为0.1～5nm。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的有源层，其特征在于，各所述半导体层的总厚度为20～70nm。
9.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的有源层。
10.权利要求9所述的薄膜晶体管在电子器件中的应用。
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