[发明专利]一种利用气雾化制备铜‑铝‑硅合金粉末的方法及其应用

权利要求书

1.一种利用气雾化制备铜-铝-硅合金粉末的方法，其特征在于按照如下步骤进行：

第一步：开启雾化装置的中间包系统，中间包漏嘴内径选用φ6～14mm；

第二步，调节熔融态铜-铝-硅合金的出炉温度为1300～1700℃；

第三步，向中间包中浇入液态金属，气雾化压力10～50MPa，进行气雾化制粉；

所述的气雾化的气源或为洁净空气，或为氩气，或为氮气；

所述的铜-铝-硅合金的成分为按重量份计的：硅22～70份，铜20～70份，铝0.5～15份，杂质0～5份。

2.根据权利要求1所述的一种利用气雾化制备铜-铝-硅合金粉末的方法，其特征在于所述的铜-铝-硅合金的成分为按重量份计的：硅22～27.5份，铜60～70份，铝0.5～10份，杂质0～5份，熔融态铜-铝-硅合金的出炉温度为1350±50℃。

3.根据权利要求1所述的一种利用气雾化制备铜-铝-硅合金粉末的方法，其特征在于所述的铜-铝-硅合金的成分为按重量份计的：硅27.5～32份，铜58～63份，铝1～11份，杂质0～5份，熔融态铜-铝-硅合金的出炉温度为1550±50℃。

4.根据权利要求1所述的一种利用气雾化制备铜-铝-硅合金粉末的方法，其特征在于所述的铜-铝-硅合金的成分为按重量份计的：硅32～39份，铜54～59份，铝1～8份，杂质0～5份，熔融态铜-铝-硅合金的出炉温度为1650±50℃。

5.根据权利要求1所述的一种利用气雾化制备铜-铝-硅合金粉末的方法，其特征在于所述的铜-铝-硅合金的成分为按重量份计的：硅37～42份，铜55～62份，铝4～15份，杂质0～3份，熔融态铜-铝-硅合金的出炉温度为1360±50℃。

6.根据权利要求1所述的一种利用气雾化制备铜-铝-硅合金粉末的方法，其特征在于所述的铜-铝-硅合金的成分为按重量份计的：硅42～46份，铜50～58份，铝5～15份，杂质0～3份，熔融态铜-铝-硅合金的出炉温度为1600±50℃。

7.根据权利要求1所述的一种利用气雾化制备铜-铝-硅合金粉末的方法，其特征在于所述的铜-铝-硅合金的成分为按重量份计的：硅50～70份，铜20～40份，铝0.5～10份，杂质0～5份，熔融态铜-铝-硅合金的出炉温度为1350±50℃。

8.一种采用权利要求1-7任意一项利用气雾化制备铜-铝-硅合金粉末的方法在制备锂离子电池负极材料的应用。

9.一种采用权利要求1-7任意一项利用气雾化制备铜-铝-硅合金粉末的方法在制备锂离子电池上的应用。