[发明专利]磁阻效应元件

权利要求书

1.一种磁阻效应元件，其特征在于，

具备层叠体，所述层叠体按顺序层叠有：

基底层、

第一铁磁性金属层、

隧道势垒层、以及

第二铁磁性金属层，

所述基底层由TiN、NbN、TaN、ZrN或以它们的混合材料构成的非晶或结晶构成，

所述隧道势垒层由具有尖晶石结构的下述组成式(1)表示的化合物构成，

(1)：A_xIn₂O_y

式中，A为非磁性的二价阳离子，表示选自镁及锌中的1种以上的元素的阳离子，

x表示满足0＜x≤2的数，y表示满足0＜y≤4的数，

所述隧道势垒层具有：

晶格匹配部，其与所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层两者晶格匹配；和

晶格不匹配部，其与所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少一方晶格不匹配。

2.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述隧道势垒层为原子排列不规则的尖晶石结构。

3.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第二铁磁性金属层的矫顽力比所述第一铁磁性金属层的矫顽力大。

4.根据权利要求2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第二铁磁性金属层的矫顽力比所述第一铁磁性金属层的矫顽力大。

5.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述隧道势垒层的膜厚为0.7nm以上且1.7nm以下。

6.根据权利要求2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述隧道势垒层的膜厚为0.7nm以上且1.7nm以下。

7.根据权利要求3所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述隧道势垒层的膜厚为0.7nm以上且1.7nm以下。

8.根据权利要求4所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述隧道势垒层的膜厚为0.7nm以上且1.7nm以下。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述基底层的膜厚为1.0nm以上且20.0nm以下。

10.根据权利要求1～8中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少任一方具有相对于层叠方向垂直的磁各向异性。

11.根据权利要求1～8中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少任一方为Co₂Mn_1－aFe_aAl_bSi_1－b，其中，0≦a≦1、0≦b≦1。