[发明专利]一种带双路阻性反馈的宽带微波集成低噪声放大器

权利要求书

1.一种带双路阻性反馈的宽带微波集成低噪声放大器，其特征在于：所述低噪声放大器包括两级增强型FET晶体管，源端电阻电容并联负反馈电路，以及双路阻性反馈电路；其中，输入信号通过输入隔直电容(C_in)交流耦合至第一增强型FET晶体管(NM₁)的栅端，第一增强型FET晶体管(NM₁)的源端通过第一并联电容(C_E1)和第一电阻(R_E1)构成的第一级源端负反馈电路与第一背孔(Backvia₁)相连接地，第一增强型FET晶体管(NM₁)的漏端直接与第二增强型FET晶体管(NM₂)的栅端相连，第二增强型FET晶体管(NM₂)的源端通过第二并联电容(C_E2)和第二电阻(R_E2)构成的第二级源端负反馈电路与第二背孔(Backvia₂)相连接地，第二增强型FET晶体管(NM₂)的漏端通过片外高频扼流圈电感(L_chock)与电源VDD相连，输出信号通过输出隔直电容(C_out)由第二增强型FET晶体管(NM₂)的漏端交流取出；

双路阻性反馈电路由第三电阻(R_F1)和第四电阻(R_F2)构成，第三电阻(R_F1)跨接在第一增强型FET晶体管(NM₁)的栅端和第二增强型FET晶体管(NM₂)的源端之间，形成第一路负反馈，通过米勒效应，降低输入输出阻抗，达到输入输出匹配的效果，第四电阻(R_F2)跨接在第一增强型FET晶体管(NM₁)的漏端和第二增强型FET晶体管(NM₂)的漏端之间，形成第二路负反馈，起到稳定低噪声放大器，拓宽带宽的效果，并形成了噪声抵消结构，降低了第二增强型FET晶体管(NM₂)的沟道热噪声对整体电路噪声性能的影响。

2.根据权利要求1所述的一种带双路阻性反馈的宽带微波集成低噪声放大器，其特征在于：整体电路上，两级放大单元均采用带源端负反馈的共源放大组态，单电源供电，无片上电感的设计，两级源端负反馈的反馈量随输入信号频率的提高而降低，实现了低噪声放大器高频特性的补偿，两级FET晶体管的连接方式为直接级联，采用了无电容DC耦合的形式，改善了低噪声放大器的低频特性，大面积的背孔基地降低了接地电感，进一步拓宽了带宽。