[发明专利]一种高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法

权利要求书

1.一种高深宽比高保形纳米级负型的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一、提供衬底，并清洗衬底；

步骤二、在衬底上旋涂光刻胶；

步骤三、利用光刻技术对光刻胶进行曝光；

步骤四、对曝光后的样品进行显影；

步骤五、利用镀膜工艺沉积一层功能材料薄膜；

步骤六、利用旋涂的方法在已经沉积金属薄膜的衬底上旋涂一层平坦化材料；

步骤七、烘烤，去除平坦化材料中的溶剂、进一步平坦化；

步骤八、利用抛光工艺，将平坦化层及突出金属薄膜去除，直到抛光到下层光刻胶为止；

步骤九、利用选择性刻蚀去除残余的光刻胶；从而获得高深宽比高保形纳米级负型结构图案。

2.根据权利要求1所述的一种高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法，其特征在于：所述步骤二中的光刻胶为负光刻胶，所述负光刻胶为氢倍半硅氧烷、SU-8、负型紫外光刻胶或基于金属纳米粒子的光刻胶。

3.根据权利要求1所述的一种高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法，其特征在于：所述步骤三中光刻技术为电子束曝光技术、离子束曝光技术、紫外或者极紫外曝光技术、X射线曝光技术、激光干涉光刻技术或纳米压印技术。

4.根据权利要求1所述的一种高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法，其特征在于：所述步骤四中显影用的显影液为氢氧化钠显影液、SU-8显影液PG或负型紫外光刻胶显影液，显影时间为30s以上。

5.根据权利要求1所述的一种高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法，其特征在于：所述步骤五中的镀膜工艺为磁控溅射、电镀、化学气相沉积或原子层沉积；沉积的功能材料薄膜为固态光介质、机械波介质、磁介质或电介质；所述电介质包括金属和半导体材料。

6.根据权利要求1所述的一种高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法，其特征在于：所述步骤六中的平坦化层为溶液状的介质材料或溶胶凝胶制备的材料，所述溶液状的介质材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、旋转涂布玻璃和氢倍半硅氧烷。

7.根据权利要求1所述的一种高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法，其特征在于：所述步骤七中烘烤的温度范围为50℃～1000℃，烘烤的时间2～600分钟。

8.根据权利要求1所述的一种高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法，其特征在于：所述步骤八中抛光全部平坦化层直到露出步骤三中负光刻胶上表面为止。

9.根据权利要求1所述的一种高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法，其特征在于：所述步骤九中的选择性去除的方法为湿法刻蚀或干法刻蚀。

10.权利要求1到9的任意一种高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法制作的纳米结构用于制作平面超透镜、纳米间隙表面增强拉曼散射衬底、高密度换能器、高深宽比X射线波带片、标准光栅或高密度特种光栅，或用于超透射或高深宽比电极对、传感器电极。