[发明专利]一种像素结构及其制作方法、显示面板在审
| 申请号: | 201710910427.9 | 申请日: | 2017-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN109585662A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
| 发明(设计)人: | 李贵芳 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 201506 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 传输层 子像素 像素结构 第三电极 第一电极 电性相反 全部隔离 显示面板 依次层叠 低灰阶 发光层 光学腔 串扰 色偏 载流子 第二电极 相邻设置 电极 制作 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,包括:
相邻设置的第一子像素和第二子像素;
所述第一子像素包括依次层叠设置的第一电极、第一传输层、第一发光层和与所述第一电极电性相反的第二电极;所述第一传输层用于调节所述第一子像素的光学腔长;
所述第二子像素包括依次层叠设置的第三电极、第二传输层、第二发光层和与所述第三电极电性相反的第四电极;所述第二传输层用于调节所述第二子像素的光学腔长;
所述第一传输层和所述第二传输层之间部分或全部隔离。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一子像素还包括:位于所述第一传输层和所述第一电极之间的第一注入层;
所述第二子像素还包括:位于所述第二传输层和所述第三电极之间的第二注入层;
所述第一注入层和所述第二注入层之间相互隔离。
3.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一子像素还包括:位于所述第一传输层和所述第一发光层之间的第一阻挡层;
所述第二子像素还包括:位于所述第二传输层和所述第二发光层之间的第二阻挡层;
所述第一阻挡层和所述第二阻挡层之间相互隔离。
4.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一子像素还包括:位于所述第一发光层和所述第二电极之间的第三传输层;
所述第二子像素还包括:位于所述第二发光层和所述第四电极之间的第四传输层;
所述第三传输层和所述第四传输层之间相互隔离;且,所述第三传输层与所述第一传输层掺杂类型相反,所述第四传输层和所述第二传输层的掺杂类型相反。
5.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,
所述第一子像素还包括:设置于所述第二电极表面的光取出层;
所述第二子像素还包括:设置于所述第四电极表面的光取出层;
所述光取出层用于增加所述第二电极和所述第四电极的透光率。
6.如权利要求1至5任一项所述的像素结构,其特征在于,所述第一电极和所述第三电极电性相同。
7.如权利要求1至5任一项所述的像素结构,其特征在于,所述第二传输层与所述第一传输层材料相同且厚度不同。
8.如权利要求1至5任一项所述的像素结构,其特征在于,所述第二传输层与所述第一传输层材料不同。
9.一种像素结构制作方法,其特征在于,包括:
在基板上制作第一电极层;所述第一电极层包含相互绝缘的第一电极和第三电极;
在所述第一电极层上沉积传输层;
在所述传输层上与所述第一电极位置对应的区域沉积第一发光层,以及,在所述传输层上与所述第三电极位置对应的区域沉积第二发光层;
刻蚀所述第一发光层和所述第二发光层之间的区域直至部分或完全刻蚀所述传输层;
在所述第一发光层表面制作第二电极,以及,在所述第二发光层表面制作第四电极。
10.一种像素结构制作方法,其特征在于,包括:
在所述基板上制作第一电极层;所述第一电极层包含相互绝缘的第一电极和第三电极;
利用第一图案化掩膜,在所述第一电极层上与所述第一电极位置对应的区域依次生长第一传输层和第一发光层,以及,利用第二图案化掩膜,在所述第一电极层上与所述第三电极位置对应的区域依次生长第二传输层和第二发光层;所述第二传输层和所述第一传输层相互隔离;
在所述第一发光层表面制作第二电极,以及,在所述第二发光层表面制作第四电极。
11.一种显示面板,其特征在于,包含如权利要求1至8任一项所述的像素结构。
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