[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一氮化物半导体层，所述第一氮化物半导体层被形成在衬底上方；

第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层被形成在所述第一氮化物半导体层上方；

沟槽，所述沟槽穿过所述第二氮化物半导体层并且到达所述第一氮化物半导体层的中部；

第一栅电极部，所述第一栅电极部经由第一绝缘膜来被形成在所述沟槽中；

第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别在所述第一栅电极部的两侧上来被形成在所述第二氮化物半导体层上方；

第二绝缘膜，所述第二绝缘被形成在所述第一栅电极部上方；以及

第二栅电极部，所述第二栅电极部被形成在所述第二绝缘膜上方，

其中，所述第二氮化物半导体层的电子亲和势小于所述第一氮化物半导体层的电子亲和势，

其中，在平面图中，所述第二栅电极部和所述第一栅电极部包括相互重叠的部分，以及

其中，所述第二栅电极部经由所述第二绝缘膜而与所述第一栅电极部分离。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，驱动电压被施加至所述第二栅电极部，以及

其中，所述第一栅电极部处于浮置状态。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一栅电极部和所述第二栅电极部被形成在有源区中，以及

其中，所述第二栅电极部与被提供在相邻于所述有源区布置的元件隔离区中的焊盘电极耦合。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一栅电极部包括在第一方向上延伸的第一布线部以及在与所述第一方向交叉的第二方向上从所述第一布线部延伸的第一栅部，

其中，所述第二栅电极部包括在所述第一方向上延伸的第二布线部以及在所述第二方向上从所述第二布线部延伸的第二栅部，

其中，在平面图中，所述第一布线部和所述第二布线部包括相互重叠的部分，以及

其中，在平面图中，所述第一栅部和所述第二栅部包括相互重叠的部分。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二栅电极部包括在第一方向上延伸的第二布线部以及在与所述第一方向交叉的第二方向上从所述第二布线部延伸的第二栅部，以及

其中，所述第一栅电极部不包括与所述第二布线部重叠的第一布线部，而是包括与所述第二栅部重叠的第一栅部。

6.一种半导体器件，包括：

第一氮化物半导体层，所述第一氮化物半导体层被形成在衬底上方；

第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层被形成在所述第一氮化物半导体层上方；

平台部，所述平台部由被形成在所述第二氮化物半导体层上方的第三氮化物半导体层来构造；

第一栅电极部，所述第一栅电极部经由第一绝缘膜来被形成在所述平台部上方；

第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别在所述第一栅电极部的两侧上来被形成在所述第二氮化物半导体层上方；

电容绝缘膜，所述电容绝缘膜被形成在所述第一栅电极部上方；以及

第二栅电极部，所述第二栅电极部被形成在所述电容绝缘膜上方，

其中，所述第二氮化物半导体层的电子亲和势小于所述第一氮化物半导体层的电子亲和势，

其中，所述平台部被形成在所述第一电极和所述第二电极之间的所述第二氮化物半导体层上方，

其中，在平面图中，所述第二栅电极部和所述第一栅电极部包括相互重叠的部分，以及

其中，所述第二栅电极部经由所述电容绝缘膜而与所述第一栅电极部分离。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中，驱动电压被施加至所述第二栅电极部，以及

其中，所述第一栅电极部处于浮置状态。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中，所述第一栅电极部和所述第二栅电极部被形成在有源区中，以及

其中，所述第二栅电极部与被提供在相邻于所述有源区布置的元件隔离区中的焊盘电极耦合。