[发明专利]一种反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法

权利要求书

1.一种反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法，其特征在于，包括步骤：

(1) 反应离子刻蚀方法损伤层去除及表面微修饰：配置HF臭氧混合溶液，将经RIE处理后的硅片放置于所述HF臭氧混合溶液中，使得硅片表面形成氧化硅层；

(2)在纳米绒面制备完成后，将硅片放置于由HF、HCl和去离子水混合而成的混合溶液中，去除硅片表面的氧化硅层及金属离子，然后烘干，进入多晶电池片正常流程。

2.根据权利要求1所述的反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法，其特征在于：步骤(1)中所述HF臭氧混合溶液的质量浓度为1%-10%。

3.根据权利要求1所述的反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法，其特征在于：步骤(1)中所述HF臭氧混合溶液在常温条件下，O₃浓度在30-150ppm范围内。

4.根据权利要求1所述的反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法，其特征在于：步骤(1)中所述臭氧使用臭氧发生器制得。

5.根据权利要求1所述的反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法，其特征在于：步骤(1)中所述经RIE处理后的硅片与所述HF臭氧混合溶液的反应时间为5min-15min。

6.根据权利要求1所述的反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法，其特征在于：步骤(2)中所述HF、HCl和去离子水混合而成的混合溶液中HF的质量浓度为1%~2.5%。

7.根据权利要求1所述的反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法，其特征在于：步骤(2)中所述HF、HCl和去离子水混合而成的混合溶液中HCl的质量浓度为2%~5%。

8.根据权利要求1所述的反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法，其特征在于：步骤(2)中所述硅片与所述HF、HCl和去离子水混合而成的混合溶液的反应时间为500s-700s。

9.根据权利要求1所述的反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法，其特征在于：步骤(2)中所述硅片与所述HF、HCl和去离子水混合而成的混合溶液的反应时间为600s。