[发明专利]薄膜电阻结构

说明书

一种薄膜电阻结构，包含一导电层及于该导电层的一表面上沉积一氧化铟锡层，该导电层表面蚀刻至少一裸露至该氧化铟锡层的第一蚀刻间距，该第一蚀刻间距与该氧化铟锡层所形成的角度为90°～120°，该薄膜电阻可调控的电阻值介于5Ω/□～375Ω/□之间；藉由上述结构，能达到薄膜电阻结构的表面均匀性高、稳定性高、结晶致密度及电阻调控度都有更加优异的控制，有助于低阶产品的提升和高阶产品的应用。

技术领域

本发明涉及一种薄膜电阻结构，尤指一种能降低蚀刻药水影响非蚀刻层造成角度变大的情形，并提升均匀性及高频性的薄膜电阻结构。

背景技术

从图5可知，一惯用薄膜电阻30系使用一镍磷合金层32设置于一铜箔层34上而成，再使用蚀刻该铜箔层34透过电子穿过该镍磷合金层32达到电阻功能。然而，由于该惯用薄膜电阻30表面颗粒大小不一及架构散乱堆迭，造成表面均匀性差，使电子迁移路径长并导致电阻差。此外，由于惯用薄膜电阻30表面的成膜结晶大小不一且结构松散，故制程上的控制较不稳定，产品品质无法提升，限缩了使用范围。

再者，习用薄膜电阻的蚀刻均系使用同一种药水进行，换言之，上述药水要能够同时蚀刻各层结构，然而当药水进行蚀刻上层结构时可能会会不小心蚀刻到下层结构，进而导致蚀刻孔径大小的改变。

是以，针对上述所存在的问题点，如何开发一种更具理想实用性的创新结构，实为消费者所殷切企盼，亦系相关业者须努力研发突破的目标及方向。

发明内容

本发明的目的在于提供一种的薄膜电阻结构，系在导电层表面上沉积具有均质性佳、结构致密、环境耐受能力好的特性的氧化铟锡层，及控制导电层和氧化铟锡层的蚀刻角度，以提高薄膜电阻表面均匀性、稳定性、结晶致密度及电阻调控度都有更加优异的控制。

为实现上述目的，本发明公开了一种薄膜电阻结构，其特征在于包括：

一薄膜电阻，包含一导电层及于该导电层的其中一表面上沉积一氧化铟锡层，该导电层表面蚀刻至少一裸露至该氧化铟锡层的第一蚀刻间距，该第一蚀刻间距与该氧化铟锡层所形成的角度为90°～120°，该薄膜电阻可调控的电阻值系介于5Ω/□～375Ω/□之间。

上述中，Ω/□的□指的是长宽相同的一个正方形，亦可表示为Ω/sq或Ω/单位面积。

其中，该导电层所使用的蚀刻药水为氯化铁、氯化铜、氨水或上述的任意组合；该氧化铟锡层所使用的蚀刻药水为盐酸、硝酸、草酸或上述的任意组合。

其中，该导电层为铜、铝、锡、锡合金、镍合金或上述的任意组合。

其中，该氧化铟锡层朝向异于该导电层的方向蚀刻至少一第二蚀刻间距，该第二蚀刻间距所形成的角度为90°～100°。

其中，该第一蚀刻与该氧化铟锡层所形成的角度为100°～115°。

其中，该第二蚀刻所形成的角度为90°～95°。

其中，该氧化铟锡层表面均匀度的平均值为1％～5％。

其中，该氧化铟锡层厚度介于0.05～1.5μm之间，该导电层厚度介于1～70μm之间。

其中，该导电层厚度介于1～36μm之间。

其中，所述该导电层的其中一表面上沉积该氧化铟锡层以物理气相沉积、化学气相沉积或涂布方式进行。