[发明专利]图像传感器及其封装工艺在审
申请号: | 201710906316.0 | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN107482029A | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 马书英;于大全;王腾 | 申请(专利权)人: | 华天科技(昆山)电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司32293 | 代理人: | 韩凤 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 封装 工艺 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:透明盖板以及键合于所述透明盖板上的图像传感器芯片;
所述图像传感器芯片包括硅基板、钝化层、金属线路层以及预切包边结构,所述硅基板的焊垫所在面通过光刻胶键合于所述透明盖板上,所述硅基板上开设有连通所述焊垫的通孔,所述钝化层位于所述硅基板的另一面上,且所述钝化层延伸至所述通孔中,所述金属线路层位于所述钝化层上,其分布于所述钝化层的表面并延伸至所述通孔中与所述焊垫相连接,所述预切包边结构包括纵向贯穿所述图像传感器芯片的预切结构以及包边,所述预切结构分别靠近所述图像传感器芯片的侧面设置,所述焊垫位于所述预切结构之间,所述包边填充于所述通孔和预切结构中。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述透明盖板为玻璃。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述通孔为直孔或者斜孔,所述斜孔的直径自远离所述焊垫的方向逐渐增大。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其特征在于,所述直孔深宽比为2:1-4:1。
5.根据权利要求3所述的图像传感器,其特征在于,所述斜孔的侧壁的倾斜度为65-85°。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述钝化层包括位于所述硅基板的另一面上的氮化硅层以及位于所述氮化硅层表面并延伸至所述通孔中的二氧化硅层。
7.根据权利要求6所述的图像传感器,其特征在于,位于所述通孔中的二氧化硅层包括与所述通孔侧壁相接触的侧部以及与所述焊垫相接触的底部,所述底部的局部区域具有暴露所述焊垫的开窗,所述金属线路层通过所述开窗与所述焊垫相连接。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述金属线路层上还设置有凸点,所述凸点自所述保护层伸出。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述透明盖板和图像传感器芯片之间还设置有围堰,所述预切结构延伸至所述围堰中。
10.一种图像传感器的封装工艺,其特征在于,所述封装工艺包括如下步骤:
S1、提供硅基板和透明盖板,将所述硅基板上的焊垫面通过光刻胶与透明盖板进行键合;
S2、对键合后的硅基板进行减薄;
S3、在减薄后的硅基板上沉积氮化硅层;
S4、在硅基板和氮化硅层上制作暴露出焊垫的通孔;
S5、在所述氮化硅层的表面及通孔中沉积二氧化硅层;
S6、在位于所述通孔中的二氧化硅层的底部的局部进行开窗,暴露出焊垫;
S7、在二氧化硅层上沉积种子层,并制作与焊垫相连接金属线路层,形成图像传感器芯片;
S8、对所述图像传感器芯片进行预切,并在预切形成的结构中填充聚合物,形成包边;
S9、在所述金属线路层上制作凸点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的