[发明专利]一种晶硅太阳能电池处理设备

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池的处理设备，其特征在于，包括：

装载卸载腔室，用于装载或卸载待处理的或处理完毕的基板；

镀膜沉积腔室，所述镀膜沉积腔室用于对所述待处理基板进行镀膜沉积；

预处理腔室，用于对待处理的基板进行预处理；

所述预处理腔室用于氧化处理，以使基板表面形成致密的氧化硅薄膜。

2.如权利要求1所述的处理设备，其特征在于，所述预处理腔室中的氧化处理保持真空状态，或所述预处理腔室的氧化处理保持非真空状态。

3.如权利要求2所述的处理设备，其特征在于，所述预处理腔室设置有加热单元，所述加热单元用于对所述基板进行加热处理，所述预处理腔设置有时间控制单元，用以控制所述预处理腔室的加热时间，所述预处理腔室设置有蝶阀控制单元，所述蝶阀控制单元连于泵，用以控制对所述泵的抽气及充气。

4.如权利要求3所述的处理设备，其特征在于，所述预处理腔中设置有一喷头，所述喷头连接于气流控制单元，所述气流控制单元用以控制气体源的通入量，所述气流控制单元包括第一气流控制单元和第二气流控制单元，以使所述基板生成氧化硅薄膜。

5.如权利要求4所述的处理设备，其特征在于，所述预处理腔中设置有压力读取单元。

6.如权利要求5所述的处理设备，其特征在于，所述气体源为O3或N2O或O2或惰性气体，所述惰性气体起稀释作用，所述惰性气体为N2。

7.如权利要求6所述的处理设备，其特征在于，所述第一气流控制单元用以控制O3、N2O、O2中的一种或多种气体的通入量，所述第二气流控制单元用以控制N2气体的通入量。

8.如权利要求7所述的处理设备，其特征在于，所述氧化处理保持真空状态是指所述控制蝶阀控制单元对所述预处理腔进行抽气达到真空状态，其次打开所述加热装置，在真空状态下对预处理腔室进行加热，再打开所述气流控制装置，通入气体对所述待处理基板进行氧化处理。

9.如权利要求7所述的处理设备，其特征在于，所述氧化处理保持非真空状态是指控制所述蝶阀控制单元对所述预处理腔进行充气升压达到非真空状态，其次打开所述加热装置，在非真空状态下对预处理腔室进行加热，再打开所述气流控制装置，通入气体对所述待处理基板进行氧化处理。

10.如权利要求8或9所述的处理设备，其特征在于，所述镀膜沉积腔包括正面减反膜沉积腔，所述减反膜为氮化硅膜或氮氧化硅膜与氮化硅膜所构成的双层膜。

11.如权利要求10所述的处理设备，其特征在于，所述镀膜沉积腔包括钝化膜沉积腔、背面减反膜沉积腔或正面减反膜沉积腔中的一种或多种，所述减反膜为氮化硅膜或氮氧化硅膜与氮化硅膜所构成的双层膜。

12.如权利要求11所述的处理设备，其特征在于，所述钝化膜为Al2O3。

13.如权利要求12所述的处理设备，其特征在于，所述带有氧化处理的预处理腔室与所述镀膜沉积腔室是集成一体的机台结构，以简化工艺流程、降低设备成本和占地面积。

14.如权利要求13所述的处理设备，其特征在于，所述预处理腔还包括用于连续传输的载板，所述预处理腔室的氧化处理与所述镀膜沉积腔室的沉积同时进行，所述载板在机台内的所述装载卸载腔室、所述镀膜沉积腔室及所述预处理腔内连续周期传输。