[发明专利]一种低温下具有阈值电阻转变功能的材料及其制备方法

权利要求书

1.一种在300k-77k低温下具有阈值电阻转变功能的动态存储器，具有多层堆叠的三维结构，其特征在于：自下而上分别为铝质背电极层、p型重掺杂硅片层、氮化硅SiN层、金属上电极层。

2.如权利要求1所述的一种在300k-77k低温下具有阈值电阻转变功能的动态存储器，其特征在于：金属上电极层为银电极，形状为圆形，直径小于500μm。

3.一种权利要求1所述动态存储器的制备方法，包括以下步骤：

1)选用电阻率低于0.001Ω.cm，厚度小于750μm的p型重掺杂硅片，进行标准RCA清洗；

2)在清洗后的硅片正面上利用物理气相沉积法或化学气相沉积法氮化硅SiN层，沉积厚度10-100nm；

3)利用光刻工艺或者金属掩膜版定义上电极尺寸和形貌，利用物理气相沉积法沉积上电极；

4)利用物理气相沉积法在步骤1)的硅片背面沉积铝电极，厚度为100-500nm，快速热退火，形成欧姆接触。