[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

绝缘膜，其包含氧，且设置于所述半导体基板上，具有使所述半导体基板露出的开口；

第一势垒金属部，其至少设置于所述开口的底部，由一种以上的膜层叠而成；以及

上部电极，其设置于所述绝缘膜的上方，并且以Al为主要成分，或者以Cu为主要成分，

在所述绝缘膜的上表面与所述上部电极之间还具备与所述第一势垒金属部的构成不同的第二势垒金属部，

所述第二势垒金属部具有上表面与所述上部电极直接接触且下表面与所述绝缘膜直接接触的氮化钛膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一势垒金属部具有层叠膜，所述层叠膜是钛膜和所述钛膜上的氮化钛膜的层叠膜。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述绝缘膜的所述开口还具备具有钨的插塞。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在所述绝缘膜的所述开口还具备具有钨的插塞。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第二势垒金属部也被设置在所述插塞与所述上部电极之间。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第二势垒金属部也被设置在所述插塞与所述上部电极之间。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述绝缘膜的上表面和所述上部电极之间的所述第二势垒金属部与所述插塞的上表面和所述上部电极之间的所述第二势垒金属部连续。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述上部电极的材料包含硅。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，功率元件部以及控制所述功率元件部的控制电路部设置于所述半导体基板，所述功率元件部至少具有所述绝缘膜、所述第一势垒金属部、所述第二势垒金属部和所述上部电极。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，功率元件部以及控制所述功率元件部的控制电路部设置于所述半导体基板，所述功率元件部至少具有所述绝缘膜、所述第一势垒金属部、所述第二势垒金属部和所述上部电极。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，功率元件部以及控制所述功率元件部的控制电路部设置于所述半导体基板，所述功率元件部至少具有所述绝缘膜、所述第一势垒金属部、所述第二势垒金属部和所述上部电极。

12.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述上部电极上还具备与所述上部电极电连接的铜线。

13.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，在所述上部电极上还具备与所述上部电极电连接的铜线。

14.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，在所述上部电极上还具备与所述上部电极电连接的铜线。

15.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，在所述上部电极上还具备与所述上部电极电连接的铜线。

16.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，在所述上部电极上还具备与所述上部电极电连接的铜线。

17.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，在所述上部电极上还具备与所述上部电极电连接的铜线。