[发明专利]一种集成电路在审

专利信息
申请号: 201710902740.8 申请日: 2015-01-08
公开(公告)号: CN107769549A 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 颜永智;帕特里克·史丹利·里尔;哈斯南·阿克拉姆;阿南德·萨慕斯 申请(专利权)人: 联发科技(新加坡)私人有限公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156;H02J5/00;H02J7/00;H04B5/00
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 代理人: 何青瓦
地址: 新加坡启汇城*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成电路
【权利要求书】:

1.一种集成电路,包括:

同步整流电路,接收输入功率,以及将整流电压输出到整流输出端上;

开关式电源SMPS,耦接于该整流输出端,其中,该SMPS提供一输出电压到输出端上;

低压差稳压器LDO,耦接于该整流器输出端,用于根据所述整流电压产生内部供给电压到内部供给电压节点上,其中,所述内部供给电压节点与所述同步整流电路和所述开关式电源SMPS耦接,所述内部供给电压对所述同步整流器和所述开关式电源SMPS供电;

其中,该开关式电源SMPS的该输出电压用于产生一调整电压到回路端子上;该集成电路还包括:

回路开关,耦接该回路端子和该内部供给电压节点之间。

2.如权利要求1所述的集成电路,其特征在于,当该调整电压等于该内部供给电压时,该回路开关被开启。

3.如权利要求1所述的集成电路,其特征在于,当该调整电压高于该内部供给电压时,该回路开关被关闭。

4.如权利要求1所述的集成电路,其特征在于,该回路开关为P沟道MOSFET。

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