[发明专利]磁阻效应元件

权利要求书

1.一种磁阻效应元件，其中，

具有叠层体，所述叠层体中按顺序叠层有基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层，

所述基底层由含有选自Ti、Nb、V、Ta、Mo、Ga及Al中的任一种的氮化物构成，所述基底层是在透射电子显微镜图像以及电子衍射图像中不呈现结晶性的层，

所述基底层的膜厚为1.0nm以上且20.0nm以下，

所述隧道势垒层由选自MgAl₂O₄、ZnAl₂O₄、MgO及γ-Al₂O₃中的任一种构成，

所述隧道势垒层的晶格常数和所述基底层可采用的结晶结构的晶格常数的晶格非匹配度为5％以内，

所述晶格非匹配度由下式(1)定义，

所述式(1)中，A为隧道势垒层的晶格常数，B为基底层可采用的结晶结构的晶格常数，n为正整数或1/正整数，

所述基底层可采用的结晶结构，是指将构成所述基底层的材料做成块时可采用的结晶结构。

2.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中，

所述基底层可采用的结晶结构为四方晶结构。

3.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中，

所述隧道势垒层为MgAl₂O₄或ZnAl₂O₄，

所述基底层为含有选自Ti、V、Mo、Ga及Al中的任一种的氮化物。

4.根据权利要求2所述的磁阻效应元件，其中，

所述隧道势垒层为MgAl₂O₄或ZnAl₂O₄，

所述基底层为含有选自Ti、V、Mo、Ga及Al中的任一种的氮化物。

5.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中，

所述隧道势垒层为MgO，

所述基底层为含有选自Ti、Nb、V、Ta及Mo中的任一种的氮化物。

6.根据权利要求2所述的磁阻效应元件，其中，

所述隧道势垒层为MgO，

所述基底层为含有选自Ti、Nb、V、Ta及Mo中的任一种的氮化物。

7.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中，

所述隧道势垒层为γ-Al₂O₃，

所述基底层为含有选自V、Ga及Al中的任一种的氮化物。

8.根据权利要求2所述的磁阻效应元件，其中，

所述隧道势垒层为γ-Al₂O₃，

所述基底层为含有选自V、Ga及Al中的任一种的氮化物。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的磁阻效应元件，其中，

所述基底层的电阻率为200μΩ·cm以下。

10.根据权利要求1～8中任一项所述的磁阻效应元件，其中，

所述第一铁磁性金属层及所述第二铁磁性金属层由以Fe和Co中的至少一方为主成分的铁磁性体构成。

11.根据权利要求1～8中任一项所述的磁阻效应元件，其中，

所述第一铁磁性金属层的厚度为3nm以下。

12.根据权利要求1～8中任一项所述的磁阻效应元件，其中，

所述基底层的厚度为1.0nm以上且20.0nm以下。

13.根据权利要求1～8中任一项所述的磁阻效应元件，其中，

在所述第二铁磁性金属层的与隧道势垒层一侧相反的一侧的表面，还叠层有覆盖层。

14.根据权利要求13所述的磁阻效应元件，其中，

所述覆盖层由原子序数为钇以上的非磁性金属构成。