[发明专利]芯片键合装置及方法在审
| 申请号: | 201710900060.2 | 申请日: | 2017-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN109585328A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
| 发明(设计)人: | 陈飞彪;王玉峰;杨腾骏 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/60;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片键合 拾取 基底 供应模块 位置偏差 工位 检测模块 芯片拾取 键合 成本要求 工位转动 键合位置 模块位置 偏差检测 影响芯片 转动惯量 转盘转动 转盘转轴 热防护 产能 测量 芯片 检测 保证 | ||
本发明提供了一种芯片键合装置及方法,所述拾取模块拾取芯片,所述转盘转动以带动所述拾取模块从芯片拾取工位转动至芯片键合工位,所述检测模块检测所述拾取模块从芯片拾取工位至芯片键合工位时的位置偏差,所述基底供应模块对所述位置偏差进行补偿,再将所述芯片键合至基底供应模块上的基底上,以保证芯片键合的精度,在不影响芯片键合效率和产能基础上,增加了测量拾取模块位置偏差的检测模块,再通过基底供应模块对所述位置偏差进行补偿,降低了对转盘转轴高精度及高成本要求、降低芯片键合装置对热防护高要求、降低芯片键合装置对低转动惯量的要求,通过偏差检测,补偿键合位置偏差,达到提高键合精度的要求。
技术领域
本发明涉及半导体加工与制造领域,尤其涉及一种芯片键合装置及方法。
背景技术
芯片键合是将芯片与基底直接安装互联的一种方法,通常采用芯片键合设备对芯片进行键合,芯片键合装置是芯片键合设备中的关键,其决定了芯片封装的精度、效率和可靠性。
现有转盘式芯片键合设备,因转盘受热产生变形,转盘转速快、转动惯量大、急停时存在冲击力,转盘与主轴磨损、或存在微小间隙等原因会影响键合装置在键合位置的键合精度。芯片键合装置对重复定位精度要求非常高,现有技术仅对芯片键合设备的转动角度进行控制,但实际中若因其它因素干扰(转盘冲击力、转盘受热变形、转轴精度等),键合位置存在偏差,则不能判断与校正。
发明内容
本发明的目的在于提供一种芯片键合装置,以解决现有技术中因转盘冲击力、转盘受热变形、转轴精度等原因产生的键合位置偏差,从而导致键合精度下降等问题。
为了达到上述目的,本发明提供了一种芯片键合装置所述芯片键合装置包括转盘、多个拾取模块、标记模块、检测模块、用于提供芯片的芯片供应模块和用于提供基底的基底供应模块;
所述多个拾取模块设置于所述转盘上并与所述转盘同步转动或停止;
所述多个拾取模块可同步从所述芯片供应模块的芯片拾取工位拾取芯片和将所述芯片键合至所述基底上的芯片键合工位;
所述标记模块设置在所述多个拾取模块上或与所述多个拾取模块安装位置对应的所述转盘上;
所述检测模块设置于所述转盘的周边,用于识别转动至对应位置的所述标记模块的位置信息,至少检测得到所述多个拾取模块在芯片键合工位的位置偏差;
所述基底供应模块对所述多个拾取模块在芯片键合工位的位置偏差进行运动补偿。
可选的,所述检测模块还用于检测所述多个拾取模块在芯片拾取工位的位置偏差,所述芯片供应模块对所述多个拾取模块在芯片拾取工位的位置偏差进行运动补偿。
可选的,所述检测模块包括第一检测单元和第二检测单元,所述第一检测单元和第二检测单元设于所述多个拾取模块从所述芯片拾取工位运动至芯片键合工位的路径中,用于检测所述多个拾取模块在芯片键合工位的位置偏差。
可选的,所述第一检测单元和第二检测单元与所述转盘中心之间的连线相互垂直。
可选的,所述第一检测单元和第二检测单元中的一个对应所述芯片键合工位设置。
可选的,所述检测模块还包括第三检测单元和第四检测单元,所述第三检测单元和第四检测单元设于所述多个拾取模块从芯片键合工位转动至芯片拾取工位的路径中,用于检测所述多个拾取模块在芯片拾取工位的位置偏差,所述芯片供应模块对所述芯片拾取工位的位置偏差进行运动补偿。
可选的,所述第三检测单元和第四检测单元与所述转盘中心之间的连线相互垂直。
可选的,所述第三检测单元和第四检测单元中的一个对应所述芯片拾取工位设置。
可选的,所述标记模块包括一个标记。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





