[发明专利]一种栅极驱动电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种电路驱动方法，具体涉及一种栅极驱动电路。

背景技术

随着触控式显示装置的日益普及，人们对于触控式显示装置的质量要求也越来越高，内嵌式触控(In-cell touch)技术因其所具有的厚度薄以及触控灵敏度高等优点而被广泛应用。

传统的GOA电路通常包括多个级联的移位寄存器单元，其中，每一个移位寄存器单元分别与相邻行的移位寄存器单元相连接，每一个移位寄存器单元均对应一行栅线，每一行移位寄存器单元输出栅极驱动信号的同时会对下一行移位寄存器单元进行预充电，以保证下一行移位寄存器单元在下一个时钟周期内实现输出。在现有技术中，移位寄存器单元以最简单的4T1C结构为例，由于N/2+1行移位寄存器单元为第二个1/2显示扫描的最开始的一行，但其上拉控制PU节点在第N/2行输出时已经被充电为高电平，由于N/2和N/2+1行输出之间相隔了较长的扫描时间，因此PU点电位会通过相连的TFT漏电，从而严重影响N/2+1行移位寄存器单元的预充电，使得在N/2+1行移位寄存器单元输出时电压降低，从而导致该行像素充电率不足，出现暗线或者亮线不良。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是PU点电位会通过相连的TFT漏电，从而严重影响N/2+1 行移位寄存器单元的预充电，使得在N/2+1行移位寄存器单元输出时电压降低，从而导致该行像素充电率不足，出现暗线或者亮线不良，目的在于提供一种栅极驱动电路，解决PU点电位会通过相连的TFT漏电，从而严重影响N/2+1行移位寄存器单元的预充电，使得在N/2+1 行移位寄存器单元输出时电压降低，从而导致该行像素充电率不足，出现暗线或者亮线不良的问题。

本发明通过下述技术方案实现：

一种栅极驱动电路，包括由多个移位寄存器单元连接而成的驱动电路，所述驱动电路包括光电耦合器和光耦驱动器，步骤1：采用光耦实现的电气隔离，光耦是快速型，控制高频开关运行，光耦的原边已串联限流电阻，将电压直接加到输入侧；步骤2：采用双电源驱动结构，内部集成有高隔离电压的光耦合器和过电流保护电路；步骤3：过电流保护输出信号端子和与TTL电平相兼容的输入接口，驱动电信号延迟最大为1.5u；步骤4：对所述栅极驱动电路中，位于光电耦合器最近的移位寄存器单元进行栅极行驱动扫描；步骤5：对所述栅极驱动电路中，位于光电耦合器最近的移位寄存器单元进行栅极行驱动扫描；步骤6：对于步骤4、5中的扫描结果，发送至光耦驱动器，所述光耦驱动器控制高频开关运行。PU点电位会通过相连的TFT漏电，从而严重影响N/2+1行移位寄存器单元的预充电，使得在N/2+1 行移位寄存器单元输出时电压降低，从而导致该行像素充电率不足，出现暗线或者亮线不良，本发明采用，首先驱动器的最大电流变化率应设置在最小的RG电阻的限制范围内，因为对许多IGBT来讲，使用的RG偏大时，会增大导通延迟时间，截止延迟时间，上升时间和开关损耗，在高频应用时，这种损耗应尽量避免。采用上述步骤可以避免RG偏大。

所述光耦驱动器采用UC39432光耦驱动器。进一步，作为本发明的优选方案。

所述光电耦合器采用FOD3120光电耦合器。进一步，作为本发明的优选方案。

所述移位寄存器单元vaok包括输入复位模块、上拉模块、控制模块以及下拉模块，进一步，作为本发明的优选方案。

本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：

1、本发明一种栅极驱动电路，避免RG偏大，避免了增大导通延迟时间，截止延迟时间，上升时间和开关损耗；

2、本发明一种栅极驱动电路，通过对移位寄存器单元的扫描解决了影响N/2+1行移位寄存器单元的预充电，使得在N/2+1行移位寄存器单元输出时电压降低，从而导致该行像素充电率不足的问题；

3、本发明一种栅极驱动电路，避免了像素充电率不足，出现暗线或者亮线不良。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。

实施例1