[发明专利]三氯硅烷的纯化系统和多晶硅的制造方法在审
| 申请号： | 201710899771.2 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107867695A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 岸亮太;石田昌彦;祢津茂义 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 满凤,金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅烷 纯化 系统 多晶 制造 方法 | ||
1.一种三氯硅烷的纯化系统，其是用于由含有烃类的氯硅烷馏分得到高纯度三氯硅烷的系统，其具备：
将所述氯硅烷馏分中的烃类热解而进行低沸点化的热解反应器、和
将从所述热解反应器输送来的所述氯硅烷馏分中含有的三氯硅烷与其他成分分离的蒸馏器。
2.如权利要求1所述的三氯硅烷的纯化系统，其中，所述热解反应器至少能够进行异戊烷、甲基三氯硅烷、甲基二氯硅烷的低沸点化。
3.如权利要求1或2所述的三氯硅烷的纯化系统，其中，所述热解反应器能够将所述低沸点化时的压力控制为0.01～2MPa的范围。
4.如权利要求1或2所述的三氯硅烷的纯化系统，其中，所述热解反应器能够将所述低沸点化时的温度控制为300～1200℃的范围。
5.如权利要求1或2所述的三氯硅烷的纯化系统，其中，所述热解反应器的内壁材质中的铁的含量为65重量％以下。
6.如权利要求5所述的三氯硅烷的纯化系统，其中，所述热解反应器的内壁材质中的铁的含量为50重量％以下。
7.如权利要求1或2所述的三氯硅烷的纯化系统，其中，具备向所述热解反应器内导入四氯硅烷和氢气的气体管线。
8.如权利要求7所述的三氯硅烷的纯化系统，其中，能够将从所述气体管线导入至所述热解反应器内的氢气的量[H2]以与四氯硅烷的量[STC]之比[H2]/[STC]为1～6的范围的方式进行控制。
9.如权利要求1或2所述的三氯硅烷的纯化系统，其中，进一步具备在金属硅的存在下使四氯硅烷与氢气反应而得到粗制三氯硅烷的氢化反应器，并具备将含有所述低沸点化后的烃类的氯硅烷类输送至所述氢化反应器的气体管线。
10.一种三氯硅烷的纯化方法，其使用权利要求1或2所述的系统。
11.一种多晶硅的制造方法，其使用利用权利要求1或2所述的系统进行纯化而得到的三氯硅烷作为原料。
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