[发明专利]功率半导体器件的散热器组件和散热系统

权利要求书

1.功率半导体器件的散热器组件，其特征在于，包括：

散热本体(1)，包括：

内环基板(11)、

外环基板(12)，其中所述外环基板(12)包围所述内环基板(11)、和

多个散热片(13)，其布置在所述内环基板(11)与所述外环基板(12)之间，

其中所述内环基板(11)的内周面上具有一或多个的功率半导体器件第一布置位(14)，所述外环基板(12)的外周面上布置有一或多个的功率半导体器件第二布置位(15)；

风扇组件(2)。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的散热器组件，其特征在于，

所述功率半导体器件第一布置位(14)沿着所述内环基板(11)的内周面均匀布置；和/或

所述功率半导体器件第二布置位(15)沿着所述外环基板(12)的外周面均匀布置。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件的散热器组件，其特征在于，

所述风扇组件(2)和所述散热本体(1)沿所述散热本体(1)的轴向方向布置，并且所述风扇组件(2)的出风面或入方面朝向所述散热本体(1)。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件的散热器组件，其特征在于，所述散热本体(1)的主风道与所述风扇组件(2)的流场相匹配。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件的散热器组件，其特征在于，所述多个散热片(13)具有沿所述散热本体(1)的径向方向等间隔布置的辐射状样式。

6.根据权利要求1所述的功率半导体器件的散热器组件，其特征在于，

所述功率半导体器件第一布置位(14)为棱面形状或弧面形状；和/或

所述功率半导体器件第二布置位(15)为棱面形状或弧面形状。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的功率半导体器件的散热器组件，其特征在于，

所述内环基板(11)为菱形环，所述外环基板(12)为圆形环；或

所述内环基板(11)为圆形环，所述外环基板为(12)菱形环；或

所述内环基板(11)和所述外环基板(12)都为圆形环；或

所述内环基板(11)和所述外环基板(12)都为菱形环；或

所述内环基板(11)为菱形环，所述外环基板(12)为椭圆形环；或

所述内环基板(11)为椭圆形环，所述外环基板为(12)菱形环；或

所述内环基板(11)和所述外环基板(12)都为椭圆形环；或

所述内环基板(11)为圆形环，所述外环基板(12)为椭圆形环；或

所述内环基板(11)为椭圆形环，所述外环基板为(12)圆形环。

8.功率半导体器件的散热系统，其特征在于，包括：

散热本体(1)，包括内环基板(11)、外环基板(12)和多个散热片(13)，其中所述外环基板(12)包围所述内环基板(11)，所述多个散热片(13)布置在所述内环基板(11)与所述外环基板(12)之间，所述内环基板(11)的内周面上具有一或多个的功率半导体器件第一布置位(14)，所述外环基板(12)的外周面上布置有一或多个功率半导体器件第二布置位(15)；

风扇组件(2)；

第一功率半导体器件(141)，布置在至少一个的功率半导体器件第一布置位(14)上；

第二功率半导体器件(151)，布置在至少一个功率半导体器件第二布置位(15)上。

9.根据权利要求8所述的功率半导体器件的散热系统，其特征在于，

所述第一功率半导体器件(141)包含绝缘栅双极型晶体管、功率二极管、金属-氧化物半导体场效应晶体管或晶闸管；或

所述第二功率半导体器件(151)包含绝缘栅双极型晶体管、功率二极管、金属-氧化物半导体场效应晶体管或晶闸管。

10.根据权利要求8所述的功率半导体器件的散热系统，其特征在于，

所述功率半导体器件第一布置位(14)为棱面形状，所述第一功率半导体器件(141)包含与所述棱面形状相适配的平面基板；或

所功率半导体器件第一布置位(14)为弧面形状，所述第一功率半导体器件(141)包含与所述弧面形状相适配的弧面基板；或

所述功率半导体器件第二布置位(15)为棱面形状，所述第二功率半导体器件(151)包含与所述棱面形状相适配的平面基板；或

所述功率半导体器件第二布置位(15)为弧面形状，所述第二功率半导体器件(151)包含与所述弧面形状相适配的弧面基板。