[发明专利]具有低击穿电压的雪崩光电二极管有效
| 申请号： | 201710897038.7 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107658351B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | Y.康;H-D.D.刘 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/107 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张金金;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 击穿 电压 雪崩 光电二极管 | ||
1.一种半导体雪崩光电二极管APD，包括：
n型掺杂硅的第一区域；
直接设置在所述第一区域上的第二区域，所述第二区域是本征硅，并且其中所述第二区域的厚度在0.07微米和0.13微米之间；
直接设置在所述第二区域上的第三区域，所述第三区域是p型掺杂硅；以及
设置在所述第三区域上的第四区域，其中所述第四区域是本征锗。
2.如权利要求1所述的APD，进一步包括：
衬底，其中所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域在所述衬底上形成。
3.如权利要求1或2任一项所述的APD，进一步包括：
设置在所述第四区域上的第五区域，其中所述第五区域包含p型掺杂的锗。
4.如权利要求1或2任一项所述的APD，其中所述第二区域的厚度是100纳米。
5.如权利要求1或2任一项所述的APD，其中所述第二区域具有小于5x1015厘米-3（cm-3）的掺杂浓度。
6.如权利要求1或2任一项所述的APD，其中所述第三区域具有在2x1018厘米-3（cm-3）和3x1018厘米-3（cm-3）之间的掺杂浓度。
7.如权利要求1或2任一项所述的APD，其中所述第四区域直接设置在所述第三区域上。
8.如权利要求1或2任一项所述的APD，其中所述第二区域与所述第一区域和所述第三区域掺杂不同。
9.如权利要求1或2任一项所述的APD，其中所述APD是IV族的APD。
10.如权利要求1或2任一项所述的APD，其中所述第三区域的厚度是20纳米。
11.如权利要求3所述的APD，进一步包括：
设置在所述第五区域上的金属接触件。
12.一种半导体雪崩光电二极管APD，包括：
n型掺杂硅的第一区域；
直接设置在所述第一区域上的第二区域，所述第二区域是本征硅，并且其中所述第二区域具有小于5x1015厘米-3（cm-3）的掺杂浓度，
直接设置在所述第二区域上的第三区域，所述第三区域是p型掺杂硅，并且其中所述第三区域具有在2x1018厘米-3（cm-3）和3x1018厘米-3（cm-3）之间的掺杂浓度，以及
设置在所述第三区域上的第四区域，其中所述第四区域是本征锗。
13.如权利要求12所述的APD，其中所述第二区域具有在0.07微米和0.13微米之间的厚度。
14.如权利要求13所述的APD，其中所述第二区域的厚度是100纳米。
15.如权利要求12-14中任一项所述的APD，进一步包括：
衬底，其中所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域在所述衬底上形成。
16.如权利要求12-14中任一项所述的APD，其中所述第三区域具有20纳米的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710897038.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高效吸光材料及其在制备电池板的应用
- 下一篇：一种太阳能电池绝缘片
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
