[发明专利]一种导热聚酰亚胺薄膜在审

专利信息
申请号: 201710895727.4 申请日: 2017-09-28
公开(公告)号: CN107652432A 公开(公告)日: 2018-02-02
发明(设计)人: 宋艳江;刘辰宇;刘顺祯 申请(专利权)人: 无锡顺铉新材料有限公司
主分类号: C08G73/10 分类号: C08G73/10;C08K9/06;C08K3/28;C08K3/04;C08K7/00;C08J5/18;C09K5/14
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司32218 代理人: 夏平,邢贤冬
地址: 214000 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 导热 聚酰亚胺 薄膜
【权利要求书】:

1.一种导热聚酰亚胺薄膜,其特征在于该聚酰亚胺薄膜由聚酰亚胺基体、活化导热填料两部分组成;在导热聚酰亚胺薄膜中聚酰亚胺基体的质量分数为78~98wt%;活化导热填料的质量分数为2~22wt%。

2.根据权利要求1所述的导热聚酰亚胺薄膜,其特征在于所述的聚酰亚胺基体为芳香族二胺和芳香族二酐经缩聚反应制得。

3.根据权利要求1所述的导热聚酰亚胺薄膜,其特征在于所述的活化导热填料为经过硅烷偶联剂进行表面处理的填料,硅烷偶联剂用量为导热填料总质量的0.1~1.0wt%,优选为0.2~0.5wt%。

4.根据权利要求1所述的导热聚酰亚胺薄膜,其特征在于所述的导热填料为纳米氮化铝和石墨烯中的一种或两种的混合物;所述的纳米氮化铝的质量分数为2~20wt%,所述的石墨烯的质量分数为0~2wt%。

5.根据权利要求4所述导热聚酰亚胺薄膜,其特征在于所述的纳米氮化铝的粒径≤200nm,优选为50~200nm;所述的石墨烯为层数≤5层的石墨烯。

6.根据权利要求1所述的导热聚酰亚胺薄膜,其特征在于所述的聚酰亚胺基体的质量分数为80~97.8wt%;活化导热填料的质量分数为2.2~20wt%。

7.根据权利要求6所述的导热聚酰亚胺薄膜,其特征在于所述的活化导热填料为经过硅烷偶联剂进行表面处理的填料,所述的导热填料为纳米氮化铝和石墨烯中两种的混合物;所述的纳米氮化铝的质量分数为2~18wt%;所述的石墨烯的质量分数为0.2~2wt%。

8.权利要求1所述的导热聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

步骤(1)、称取导热填料氮化铝和/或石墨烯,加入到非质子性溶剂中,添加硅烷偶联剂,在高速搅拌的同时进行超声波分散,控制悬浊液质量浓度5~30%;

步骤(2)、将所得的悬浮液加入到聚酰胺酸聚合反应釜中,补加非质子性溶剂,控制温度在10~40℃,加入规定量的芳香族二胺,搅拌,待其完全溶解后,控制温度在50~60℃,分批次加入与芳香族二胺等摩尔量的芳香族二酐,并不断搅拌,制成均匀的黏度稳定的聚酰胺酸复合溶液,所述的聚酰胺酸复合溶液的质量浓度为15~25%;

步骤(3)、采用溶液流涎法将所得聚酰胺酸复合溶液制成聚酰亚胺薄膜。

9.根据权利要求8所述的导热聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于所述的非质子性溶剂为N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮。

10.权利要求1所述的导热聚酰亚胺薄膜在电工、电子工业行业作为绝缘基材的应用。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡顺铉新材料有限公司,未经无锡顺铉新材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710895727.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top