[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201710890955.2 | 申请日: | 2017-09-27 |
公开(公告)号: | CN107845644B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 刘耀;陈曦;廖加敏;李宗祥 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:衬底基板,设置在所述衬底基板上方的交叉设置的栅线与数据线、薄膜晶体管;所述薄膜晶体管包括:栅极,设置在所述栅极远离所述衬底基板侧的有源层以及设置在所述有源层远离所述衬底基板侧的源极与漏极;其特征在于,
所述栅极为所述栅线的一部分;
所述源极为所述数据线的一部分,且所述源极的至少部分区域位于所述数据线与所述栅线在所述衬底基板上的正投影存在重叠的区域内;其中,在所述源极的整体位于所述数据线与所述栅线在所述衬底基板上的正投影存在重叠的区域内的情况下,所述栅线在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影;
在所述源极的部分区域位于所述数据线与所述栅线在所述衬底基板上的正投影存在重叠的区域内的情况下,所述栅线在所述衬底基板上的正投影部分覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影;
所述源极的图形为U形或准U形,所述U形或所述准U形的开口方向与所述数据线延伸方向相垂直;
所述漏极的至少部分区域位于所述U形或所述准U形的开口区域内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:设置在所述栅线、所述数据线以及所述薄膜晶体管上的钝化层和设置在所述钝化层上的像素电极;所述像素电极通过所述钝化层上的过孔与所述漏极电性连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:设置在所述像素电极与所述衬底基板之间的公共电极。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极与所述栅线同层设置。
5.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至4任一项所述的阵列基板。
6.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
在衬底基板上方依次形成栅线、栅绝缘层、有源层、数据线和漏极的步骤;
其中,所述栅线的一部分作为栅极,所述有源层形成在所述栅极的上方,所述漏极形成在所述有源层之上;
所述数据线的一部分作为源极,且所述源极的至少部分区域位于所述数据线与所述栅线在所述衬底基板上的正投影存在重叠的区域内;其中,在所述源极的整体位于所述数据线与所述栅线在所述衬底基板上的正投影存在重叠的区域内的情况下,所述栅线在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影;
在所述源极的部分区域位于所述数据线与所述栅线在所述衬底基板上的正投影存在重叠的区域内的情况下,所述栅线在所述衬底基板上的正投影部分覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影;
所述源极的图形为U形或准U形,所述U形或所述准U形的开口方向与所述数据线延伸方向相垂直;
所述漏极的至少部分区域位于所述U形或所述准U形的开口区域内;
所述栅极、所述有源层、所述源极和所述漏极构成薄膜晶体管。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,形成所述数据线和所述漏极的步骤包括:
在形成有所述栅线、所述栅绝缘层和所述有源层的所述衬底基板上方依次形成金属层和光刻胶层;
通过掩膜板对所述光刻胶层进行曝光、显影,形成光刻胶图案;所述光刻胶图案覆盖住的所述金属层的区域对应于待形成的数据线和漏极的图案;
对所述光刻胶图案露出的所述金属层的区域进行刻蚀,形成位于所述光刻胶图案下方的所述数据线和所述漏极的图案;
去除所述光刻胶图案,以形成所述数据线和所述漏极。
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在所述在衬底基板上方依次形成栅线、栅绝缘层、有源层、数据线和漏极的步骤之前,所述制备方法还包括:在衬底基板上形成公共电极的步骤。
9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在所述在衬底基板上方依次形成栅线、栅绝缘层、有源层、数据线和漏极的步骤之后,所述制备方法还包括:
在所述衬底基板上方形成具有过孔的钝化层的步骤,所述过孔露出下方的所述漏极;
在所述钝化层上形成像素电极的步骤,所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的