[发明专利]结构物

说明书

本发明所要解决的技术课题在于提供包含钇氧氟化物且可提高耐等离子体性的结构物。具体而言，在于提供如下结构物：以具有菱面体晶的结晶结构的钇氧氟化物的多晶体为主成分，且所述多晶体中的平均结晶尺寸小于100nm，其特征在于，通过X射线衍射在衍射角2θ＝13.8°附近检测到的菱面体晶的峰值强度为r1，在衍射角2θ＝36.1°附近检测到的菱面体晶的峰值强度为r2，比值γ1为γ1(％)＝r2/r1×100时，所述比值γ1为0％以上、小于100％。

技术领域

本发明的方式通常涉及结构物。

背景技术

作为在半导体制造装置等的等离子体照射环境下所使用的构件，可使用在其表面形成了耐等离子体性高的膜的构件。在膜上例如可使用氧化铝(Al₂O₃)、氧化钇(Y₂O₃)等的氧化物或者氮化铝(AlN)等的氮化物。

另一方面，在氧化物类陶瓷中伴随着与CF类气体的反应而引起的氟化，膜的体积膨胀并产生裂缝等，其结果引起颗粒的产生，对此提出了使用原本就被氟化的氟化钇(YF₃)等的氟化物类陶瓷(专利文献1)。

另外，YF₃相对于F类等离子体的耐性高，但相对于Cl类等离子体的耐性不充分或者在氟化物的化学稳定性上存在疑问等，对此还提出了使用氧氟化钇(YOF)的膜或烧成体(专利文献2、3)。

迄今为止，对YF₃、YOF进行了在熔射膜及膨松体中的研究。然而，在熔射膜、烧成体中耐等离子体性不充分，需要进一步提高耐等离子体性。

例如，研究了以稀土类元素的氧氟化物作为原料来形成熔射膜(专利文献4)。然而，在熔射中因加热时大气中的氧气而发生氧化。因此，有时在所得到的熔射膜中会混入Y₂O₃，从而组成的控制存在困难。另外，在熔射膜中依然存在致密性的课题。另外，在等离子体刻蚀中使用通过熔射等进行了YF₃涂布的腔时，还存在刻蚀速度漂移而不稳定的课题(专利文献5)。另外，还研究了形成包含Y₂O₃的膜后，将该膜通过等离子体处理等的退火来氟化的方法(专利文献6)。然而，在该方法中，由于在先形成的包含Y₂O₃的膜上实施了氟化处理，故而存在发生如下不良情况的可能性：因氟化而膜的体积变化从而会从基材剥离或者在膜上出现裂缝等。另外，膜整体的组成控制存在困难。另外，在熔射、烧成体中，因加热时氟化物原料微粒的热分解而F₂气体被释放，从而存在安全性的课题。

另一方面，专利文献7公开了关于Y₂O₃可通过气溶胶沉积法在常温下形成耐等离子体性的结构物。然而，关于使用了钇氧氟化物的气溶胶沉积法并未进行充分的研究。

专利文献1：日本特开2013-140950号公报

专利文献2：日本特开2014-009361号公报

专利文献3：日本特开2016-098143号公报

专利文献4：日本专利第5927656号公报

专利文献5：美国专利申请公开第2015/0126036号说明书

专利文献6：美国专利申请公开第2016/273095号说明书

专利文献7：日本特开2005-217351号公报

发明内容

在包含钇氧氟化物的结构物中有时会在耐等离子体性上产生偏差。

本发明基于相关课题的认知而进行，所要解决的技术课题在于提供可提高耐等离子体性的结构物。