[发明专利]加快工艺腔室复机的清洗方法

说明书

本发明公开了一种加快工艺腔室复机的清洗方法。包括加热工艺腔室，以使得工艺腔室内的温度符合清洗杂质的预设温度；延时第一预设时间后，对工艺腔室进行初步抽真空；循环执行快速清洗工艺腔室的流程；循环执行深度清洗工艺腔室的流程，其中，循环执行深度清洗工艺腔室的流程包括：控制通入工艺腔室内的第一清洗气体流量，使得第一清洗气体流量符合预设第一清洗气体流量，以对工艺腔室进行深度清洗，和/或，控制通入工艺腔室内的第一清洗气体流速，使得第一清洗气体流速符合预设第一清洗气体流速，以对工艺腔室进行深度清洗；执行初始化工艺腔室的流程，以完成对工艺腔室的清洗。能够有效缩短工艺腔室的复机时间，提高工艺腔室的清洗效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种加快工艺腔室复机的清洗方法。

背景技术

等离子体设备广泛用于当今的半导体、太阳能电池、平板显示等制作工艺中。随着工厂自动化水平的提升，对生产线设备的自动化程度和快速恢复能力也提出了越来越高的要求。在工艺腔室停机维护后，需要进行一系列的恢复工艺腔室的操作，如果能够使工艺腔室快速满足工艺条件，可以大大缩短复机时间，提高产能，提升产品品质，降低维护成本。

在刻蚀机工艺设备中，特别是对于IC(集成电路)制造工艺，需要保证工艺腔室很高的真空度和清洁度，以利于后续的刻蚀工艺的有效进行，如果条件不满足，进行刻蚀后，晶片会出现污染，导致废片，不但浪费资源增加成本，而且降低了出片效率。因此在进行刻蚀工作前必须保证工艺腔室有足够真空度和洁净度。

现有的工艺腔室的复机过程一般包括：首先利用分子泵对工艺腔室抽真空，工艺腔室在该阶段会维持在一个摆阀打开，分子泵抽气的状态，即持续对腔室抽气的状态，这个状态需要持续2-4小时。其次，对工艺腔室进行循环充气、抽气，从而将杂质带出工艺腔室，达到清洁工艺腔室的目的。

但是，上述的复机过程中，由于对工艺腔室抽真空的阶段耗时较长(约2-4小时)，之后再对工艺腔室进行清洗。因此，这会导致工艺腔室的复机时间大大延长，造成生产效率低下。另外，现有的复机过程中，每次充气和抽气通过打开进气阀门和快速抽气阀门，这不能够有效控制工艺腔室内的清洗气体流量。除此之外，充气和抽气是分开进行的，减低了气体的流动、降低杂质的清洗能力。

因此，如何设计一种能够有效缩短工艺腔室复机的清洗方法成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种加快工艺腔室复机的清洗方法。

为了实现上述目的，本发明的第一方面，提供了一种加快工艺腔室复机的清洗方法，所述清洗方法包括：

步骤S110、执行对所述工艺腔室进行清洗前的准备流程，包括：

步骤S111、加热所述工艺腔室，以使得所述工艺腔室内的温度符合清洗杂质的预设温度；

步骤S112、延时第一预设时间后，对所述工艺腔室进行初步抽真空；

步骤S120、循环执行快速清洗所述工艺腔室的流程；

步骤S140、循环执行深度清洗所述工艺腔室的流程，其中，所述循环执行深度清洗所述工艺腔室的流程包括：

步骤S141、控制通入所述工艺腔室内的第一清洗气体流量，使得所述第一清洗气体流量符合预设第一清洗气体流量，以对所述工艺腔室进行深度清洗，和/或，

步骤S142、控制通入所述工艺腔室内的第一清洗气体流速，使得所述第一清洗气体流速符合预设第一清洗气体流速，以对所述工艺腔室进行深度清洗；

步骤S150、执行初始化所述工艺腔室的流程，以完成对所述工艺腔室的清洗。

优选地，所述对所述工艺腔室进行初步抽真空的步骤包括：