[发明专利]CsCdPO4化合物、CsCdPO4非线性光学晶体及其制法和用途有效
| 申请号： | 201710889137.0 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107792842B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 罗军华;沈耀国;赵三根;赵炳卿;李先锋;丁清然;李雁强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C01B25/45 | 分类号： | C01B25/45;C30B9/12;C30B29/14;G02F1/355 |
| 代理公司： | 福州市众韬专利代理事务所(普通合伙) 35220 | 代理人： | 方金芝;黄秀婷 |
| 地址： | 350000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cscdpo4 化合物 非线性 光学 晶体 及其 制法 用途 | ||
1.CsCdPO4非线性光学晶体，其特征在于：所述的CsCdPO4非线性光学晶体不含对称中心，属于单斜晶系P21空间群。
2.根据权利要求1所述的CsCdPO4非线性光学晶体，其特征在于：所述晶体的晶胞参数为a = 9.0589(4) Å，b = 5.6406(2) Å，c = 9.4634(4) Å，β= 90.244(4), V = 483.55(3)Å3，Z = 4。
3.根据权利要求1或2所述的CsCdPO4非线性光学晶体的制备方法：
首先，将含Cs化合物、含Cd化合物和含P化合物以化学计量比均匀混合后，以10～200℃/小时的速率升温到400～500 ℃，然后保温烧结12小时以上，降至室温后取出研磨均匀，再以10～200 ℃/小时的速率升温到500～1100 ℃烧结24小时以上，得CsCdPO4原料；
然后，将助熔剂和所述的CsCdPO4原料混合后置于晶体生长炉中，升温至700 ℃以上熔化成熔体，然后测试所述熔体的饱和温度，接着将熔体降温至饱和温度5 ℃以上，然后缓慢降温至600 ℃，随后迅速降温至室温，即得CsCdPO4非线性光学晶体；
所述助熔剂是由Cs2O和P2O5按照摩尔比为0.5-2 : 0-2混合而成；
所述的助熔剂和所述的CsCdPO4原料的摩尔比为1 : 0.1-5.5。
4.根据权利要求1或2所述的CsCdPO4非线性光学晶体的用途，其特征在于：所述的CsCdPO4非线性光学晶体用作非线性光学器件使用。
5.一种非线性光学器件，其特征在于：包括根据权利要求1或2所述的CsCdPO4非线性光学晶体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所，未经中国科学院福建物质结构研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710889137.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种超快速制备Ag
- 下一篇：一种单壁碳纳米管的制备方法
