[发明专利]一种基于STM32的低压动态无功补偿装置在审
| 申请号： | 201710888437.7 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107591821A | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 徐雄风;姚善化 | 申请（专利权）人： | 安徽理工大学 |
| 主分类号： | H02J3/18 | 分类号： | H02J3/18;H02J3/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 232001 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 stm32 低压 动态 无功 补偿 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于STM32的低压动态无功补偿装置，包括STM32控制器，所述STM32控制器上电性连接有电磁阀，所述电磁阀输出端与防暴器输入端电性相连，所述防爆器输出端与RC补偿器电性相连，所述RC补偿器输出端与电网电性相连；所述电网上连接有电流检测器，所述电流检测器通过电压转换电路与STM32控制器电性相连。
2.根据权利要求1所述的一种基于STM32的低压动态无功补偿装置，其特征在于：所述电磁阀采用MOSFET开关管，高电平脉冲时处于打开状态，低电平脉冲时处于闭合状态。
3.根据权利要求1所述的一种基于STM32的低压动态无功补偿装置，其特征在于：所述防爆器采用方形防爆配电箱结构设计，所述防爆配电箱采用隔爆型和增安型结构设计，内部安装有高分断小型漏电断路器。
4.根据权利要求1所述的一种基于STM32的低压动态无功补偿装置，其特征在于：所述RC补偿器采用可充放电的电阻与电容相并联的电路结构设计。
5.根据权利要求1所述的一种基于STM32的低压动态无功补偿装置，其特征在于：所述STM32控制器的方波信号控制端与开关管电性相连，所述开关管输出端与过热保护电路输入端电性相连，所述过热保护电路输出端与电网电性相连。
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