[发明专利]LED发光装置和LED支架

说明书

本发明涉及光电技术领域，尤其是一种LED支架，用于LED芯片的安装，其包括：金属基底，所述金属基底包括固晶区域以及环绕所述固晶区域的周边区域，所述固晶区域用于固定安装所述LED芯片；绝缘层，所述绝缘层设置在所述金属基底上并位于所述周边区域内以定义出所述固晶区域；所述绝缘层还包括对应于所述固晶区域、设置于所述金属基底中的条状绝缘部；所述金属基底还包括对应于所述固晶区域开设的至少一个第一凹槽，所述第一凹槽中填充导热填充物。本发明通过对LED支架的改进使得基板各个区域的导热效率可控可调，达到基板各个区域的温差减少、温度趋于一致的目的。

技术领域

本发明涉及光电技术领域，尤其是一种LED Emitter支架。

背景技术

目前，LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)已广泛应用于日常生活的各个领域，为人们带来美的享受和生活的便利。

随着LED产品的应用，人们对LED发光装置的质量要求也越来越高。其中，LED芯片是集中设置在基板上的并形成一发光面，如此基板的散热效率的高低、热分布是否均匀是影响LED发光装置质量的重要因素。散热效率低、散热不均匀将严重影响整个发光装置的可靠性。

现有的LED支架100有多种尺寸，以排布稀疏的5050(长5mm*宽5mm)贴片灯珠为案例，其中装载的LED芯片数目较少、但间距大。

其中，结合图1所示，相邻两个芯片101之间的距离为D1，LED支架边缘到芯片边缘的距离D2。芯片101所在区域温度高、远离所述芯片101的区域则温度低，加上这种LED支架中，芯片排列稀疏，相邻两个芯片101之间的距离为D1以及，LED支架边缘到芯片边缘的距离D2均较大，导致LED支架中高低温度差甚至高达十几摄氏度，造成的热分布严重不均匀。

这种热分布不均会使LED发光装置质量变差：

一方面，现有的LED支架中包括硅胶封装体、绝缘层和金属基底，三者通过与粘合材料的结合。由于绝缘层的热膨胀系数CTE(13ppm/℃)小于金属铜基底的热膨胀系数(17.6ppm/℃)，绝缘层边缘产生的是拉应力，翘曲易产生在边缘，绝缘层与硅胶封装体的结合力变差，易产生间隙，湿气易渗入；另一方面，硅胶封装体的膨胀系数一般为220ppm/℃，当固晶区域的中心温度较高、LED支架温度差异较大时，则会造成硅胶封装体在中间的膨胀加剧，在冷热交替的环境下，容易在温度较高处出现应力疲劳造成胶裂，也会使湿气从胶裂的缝隙中渗入。同时，硅胶封装体和绝缘体的热膨胀系数差异较大，在冷热交替环境下也容易出硅胶封装体和绝缘体侧壁的结合力变差，又将出现缝隙，最终造成水汽入侵支架内部，水汽与银发生氧化变黑，直接导致光衰，会严重影响到发光装置的品质和可靠性。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种LED支架，用于LED芯片的安装，所述LED支架包括：绝缘层和金属基底；金属基底，所述金属基底包括固晶区域以及环绕所述固晶区域的周边区域，所述固晶区域用于固定安装所述LED芯片，所述固晶区域分为芯片安装部和非芯片安装部；绝缘层，所述绝缘层设置在所述金属基底上并位于所述周边区域上以定义出所述固晶区域；所述金属基底还包括对应于所述芯片安装部开设的第一凹槽，所述第一凹槽中填充导热填充物，所述导热填充物的导热系数大于所示金属基底的导热系数。进一步地，两个相邻的所述第一凹槽之间还开设有第一连接槽，所述第一连接槽填充有所述导热填充物。

进一步地，所述金属基底的第一凹槽有多个，所述多个第一凹槽呈轴对称分布或非对称分布。

进一步地，所述金属基底还包括对应于所述非芯片安装部开设的第二凹槽，所述第二凹槽中填充低比热容填充物，所述低比热容填充物的比热容小于所示金属基底的比热容。

进一步地，两个相邻的所述第二凹槽之间还开设有第二连接槽，所述第二连接槽填充有所述低比热容填充物。

进一步地，所述第二凹槽延伸到所述周边区域内。