[发明专利]用于多电压域控制信号的产生电路有效

专利信息
申请号: 201710887176.7 申请日: 2017-09-27
公开(公告)号: CN107783582B 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 汪鹏;李寰;应峰 申请(专利权)人: 思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司
主分类号: G05F1/565 分类号: G05F1/565
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 陈忠辉
地址: 215123 江苏省苏州市工业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 用于 电压 控制 信号 产生 电路
【说明书】:

发明揭示了一种用于多电压域控制信号的产生电路,该产生电路由MOS管M1、MOS管M2、和比较器构成,其中两个MOS管的漏极和MOS管M2的栅极共联接地,MOS管M1的栅极接入控制使能信号EN,两个MOS管的源极分别连接主体电源域VEE,且MOS管M1的源极分支接入比较器的负极输入端,MOS管M2的源极分支接入比较器的正极输入端,该产生电路的输出为比较器的输出端。应用实施本发明的产生电路,利用该多电压域控制信号的产生电路,能够抵销工艺参数的影响,无漏电、高耐压,有利于得到高精度可控的阀值电压。

技术领域

本发明涉及一种信号产生电路,尤其涉及一种可用于多电压域控制信号的产生电路。

背景技术

随着科学技术的发展,信号互联控制已广泛应用于各类电气设备的功能实现中。这些系统架构中,主系统(包括电源供电)通常为负压域,比如电源VEE为-12V;但控制系统中的控制使能信号EN为正压(0-3.3V),需要设计专门的电路来产生高精度的控制信号。

然而,现有此类电路多有弊端,无法有效满足控制信号产生之需。如图1所示的产生电路,仅有的一个MOS管M1,其漏极接入控制使能信号EN,栅极接地,源极接电源域VEE且输出信号,但是由于存在漏电流,该产生电路的耐压低,同时受M1工艺参数影响大。如图2所示的产生电路,由两个MOS管M1、M2相接构成,其中MOS管M1的栅极接入控制使能信号EN,M1的漏极接地,且M1的源极接电源域VEE及M2的栅极,且M2的漏极输出信号。然而,该控制信号产生电路受两个MOS管的工艺参数影响很大,无法适用于高精度控制。

发明内容

鉴于上述现有技术存在的缺陷,本发明的目的是提出一种用于多电压域控制信号的产生电路。

为了达到上述目的,本发明所采用的技术方案为:用于多电压域控制信号的产生电路,其特征在于所述产生电路由MOS管M1、MOS管M2、和比较器构成,其中两个MOS管的源极和MOS管M2的栅极共联接地,MOS管M1的栅极接入控制使能信号EN,两个MOS管的漏极分别连接主体电源域VEE,且MOS管M1的漏极分支接入比较器的负极输入端,MOS管M2的漏极分支接入比较器的正极输入端,所述产生电路的输出为比较器的输出端。

进一步地,其特征在于:所述主体电源域VEE为负压域,控制使能信号EN为正压域。

进一步地,其特征在于:所述主体电源域VEE为正压域,控制使能信号EN为负压域。

应用实施本发明产生电路的有益效果:利用该多电压域控制信号的产生电路,能够抵销工艺参数的影响,无漏电、高耐压,有利于得到高精度可控的阀值电压。

附图说明

图1是现有一种控制信号产生电路的结构示意图。

图2是现有另一种控制信号产生电路的结构示意图。

图3是本发明用于多电压域控制信号的产生电路优选实施例示意图。

具体实施方式

为使本发明技术方案的创新实质能够得到更清楚的理解,以下结合附图进行实施例的详细描述。

如图3所示,是本发明用于多电压域控制信号的产生电路优选实施例示意图。可见该用于多电压域控制信号的产生电路主要由MOS管M1、MOS管M2和比较器构成,其中两个MOS管的源极和MOS管M2的栅极共联接地,MOS管M1的栅极接入控制使能信号EN,两个MOS管的漏极分别连接主体电源域VEE,且MOS管M1的漏极分支接入比较器的负极输入端,MOS管M2的漏极分支接入比较器的正极输入端,该产生电路的输出为比较器的输出端VOUT。本实施例中,该主体电源域VEE为负压域,控制使能信号EN为正压域。

根据晶体管原理,可知MOS的IV如表达式(1)所示,

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