[发明专利]一种垂直过渡结构

说明书

本发明提供了一种垂直过渡结构，包括射频同轴连接器、微波多层印制板。所述微波多层印制板从上到下分别为第一接地平面、带状线层、第二接地平面、第三接地平面。第一接地平面与带状线层之间设置有一个垂直过渡盲孔；射频同轴连接器设置于第一接地平面上，其内导体向下延伸到垂直过渡盲孔内且不超过垂直过渡盲孔深度;第二接地平面层正对垂直过渡盲孔的区域增加开孔。本发明实现了一种全屏蔽式、可靠性较高、工作频带宽的垂直过渡结构。

技术领域

本发明属于电子元器件技术领域，尤其涉及到一种垂直过渡结构的设计方法。

背景技术

近年来，随着移动通信及电子对抗等领域不断向着小型化、低成本、高频率及高性能等方向发展，对微波毫米波频段的高性能、高可靠垂直过渡传输提出更高要求。目前微波产品中射频同轴连接器与微波多层印制板之间的垂直过渡互连主要有图1、2所示两种方式。

（1）图1中射频同轴连接器内导体穿过微波多层印制板采用背钻工艺形成的垂直过渡通孔，并在背面进行锡焊焊接，这种垂直过渡方式易于加工和制造，可靠性高。但由于背钻工艺的固有缺陷是存在残留孔并采用锡焊焊接，使得连接处阻抗不连续性增大，高频传输性能差，难以达到毫米波频段；另外背钻使得残留孔处于开放状态，在高频段易引起空间电磁辐射，使得微波产品通道隔离及电磁兼容性能较差。

（2）图2中射频同轴连接器内导体与微波多层印制板的实心垂直过渡通孔进行表贴焊接，这种垂直过渡方式解决了前一种方式背钻残留孔的影响。但是连接器内导体与垂直过渡过孔焊盘接触面积较小，可靠性较差；另外带状线垂直过渡处与带状线地平面间存在较大的并联寄生平板电容，该电容恰好与垂直过渡过孔寄生串联电感形成一个等效LC低通滤波器结构，使得毫米波频段传输性能较差，不满足毫米波高性能传输要求，应用局限较大。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种垂直过渡结构，包括射频同轴连接器、微波多层印制板。

所述微波多层印制板从上到下分别为第一接地平面、带状线层、第二接地平面、第三接地平面。

第一接地平面与带状线层之间设置有一个垂直过渡盲孔；射频同轴连接器设置于第一接地平面上，其内导体向下延伸到垂直过渡盲孔内且不超过垂直过渡盲孔深度。

进一步的，第二接地平面层正对垂直过渡盲孔的区域开孔。

进一步的，垂直过渡盲孔周围设置两圈接地过孔，接地过孔的轴向与垂直过渡盲孔轴向相同。

本发明的有益效果为：

本发明通过适当增长射频同轴连接器的内导体使之贯穿进入垂直过渡盲孔中，增大焊接区域面积提高可靠性；在垂直过渡盲孔正下方地第二接地平面处增加开孔，减小寄生平板电容，提高高频段传输性能；在垂直过渡盲孔周围放置至少两圈接地过孔，形成等效的准同轴结构，与完整的地平面：第三接地平面一起将微波信号完全屏蔽于射频同轴连接器与带状线之间，解决了背钻残留孔产生辐射影响通道隔离的问题。本发明实现了一种全屏蔽式、可靠性较高、工作频带宽的垂直过渡结构。

附图说明

图1为现有技术中采用背钻工艺形成垂直过渡通孔示意图。

图2为现有技术中射频同轴连接器内导体与微波多层印制板的实心垂直过渡通孔进行表贴焊接示意图。

图3为本发明所涉及的垂直过渡结构示意图。

图4为垂直过渡盲孔焊盘正下方地平面处有无开孔时的垂直过渡结构性能曲线对比。

图中：1.射频同轴连接器，2. 内导体，3.接地过孔，4. 第一接地平面，5. 带状线层，6. 第二接地平面，7.第三接地平面，8. 开孔，9. 垂直过渡盲孔。

具体实施方式