[发明专利]影像感测器的制造方法有效
申请号: | 201710886534.2 | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN108110020B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 杨省枢;张香鈜 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 感测器 制造 方法 | ||
本发明公开一种影像感测器的制造方法。提供一基板,基板具有一弧面。提供一盖体、一胶层及一影像感测元件。将胶层接合于盖体与影像感测元件之间。将已相结合的盖体、胶层及影像感测元件对位于基板,并压合盖体、胶层及影像感测元件至基板,使影像感测元件通过胶层的推挤而随着弧面弯曲,且使胶层包覆影像感测元件。
本发明是中国发明专利申请(申请号:201611159737.3,申请日:2016年12月15日,发明名称:影像感测器)的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种影像感测器的制造方法,且特别是涉及一种包含弯曲影像感测元件的影像感测器的制造方法。
背景技术
近年来由于多媒体技术的蓬勃发展,数字影像使用愈趋频繁,消费者对于影像处理装置的需求也日益增加。许多数字影像产品,如网络摄影机(web camera)、数字相机(digital camera)、智能型手机(smart phone)等,都是通过影像感测器(image sensor)来提取影像。
以互补式金属氧化物半导体影像感测元件(CMOS image sensing element)而言,可将其设计为弯曲状以改变其光学性质,用于减少所需的对应透镜的数量以达成影像感测模块的小型化。一般来说,是先将尚未弯曲的影像感测元件置于基板的弧面上,基板的弧面处具有对位于影像感测元件的穿孔,然后通过所述穿孔以抽气的方式驱使影像感测元件向下弯曲而贴附于基板的弧面,从而获得弯曲的影像感测元件。然而,此种方式必须先在基板形成供抽气的穿孔而使得制作工艺较为费工费时,且基板因形成了穿孔而使其结构较不完整而无法稳固地支撑影像感测元件,可能导致影像感测元件在穿孔处产生非预期的变形。此外,在一般的影像感测模块中,影像感测元件并未被胶体包覆,故在制造过程中容易有异物(如环境中的灰尘)附着在影像感测元件上而降低影像感测模块的品质。
发明内容
本发明提供一种影像感测器的制造方法,可节省制造成本,可使其影像感测元件稳固地被支撑,且可避免异物在制造过程中附着在影像感测元件上。
本发明的影像感测器的制造方法包括以下步骤。提供一基板,基板具有一弧面。提供一盖体、一胶层及一影像感测元件。将胶层接合于盖体与影像感测元件之间。将已相结合的盖体、胶层及影像感测元件对位于基板,并压合盖体、胶层及影像感测元件至基板,使影像感测元件通过胶层的推挤而随着弧面弯曲,且使胶层包覆影像感测元件。
基于上述,在本发明的影像感测器中,基板的弧面上除了配置影像感测元件,更配置了用以包覆影像感测元件的胶层。因此,在将影像感测元件及胶层压合至基板的弧面上的过程中,可通过胶层对影像感测元件的推挤而使影像感测元件随着弧面弯曲。由于本发明如上述般非以抽气方式使影像感测元件弯曲,故不需如传统制作工艺般在基板的弧面处形成供抽气的穿孔,而可简化制作工艺以节省制造成本。此外,由于本发明的基板如上述般不需形成穿孔,故基板的结构较为完整而可稳固地支撑影像感测元件。再者,通过胶层对影像感测元件的包覆,可避免异物在制造过程中附着在影像感测元件上。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附的附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是本发明一实施例的影像感测器的剖视图;
图1B是图1A的影像感测器的部分构件俯视图;
图2是本发明另一实施例的影像感测器的剖视图;
图3A是本发明另一实施例的影像感测器的剖视图;
图3B至图3E是本发明一实施例的影像感测器的制造方法流程图;
图3F是图3A的影像感测器的制造流程的环境压力、压合力及温度的变化图;
图4是本发明另一实施例的影像感测器的剖视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的