[发明专利]元件芯片的制造方法

说明书

本发明公开了一种用于通过在被保持带保持的基板上形成抗蚀剂层，然后通过等离子体蚀刻基板来制造元件芯片的制造方法。所述制造方法包括以下步骤：制备被保持在保持带上的基板的步骤，所述基板包括彼此相反的第一侧部和第二侧部，并且所述基板的第二侧部被保持在保持带上，基板还包括多个元件区域和限定元件区域中的每一个的多个分割区域；喷涂抗蚀剂溶液以形成抗蚀剂溶液的液滴的步骤，所述抗蚀剂溶液含有抗蚀剂成分和溶剂；通过从所述液滴蒸发所述溶剂并将所述抗蚀剂成分沉积在被保持在所述保持带上的所述基板的第一侧部上从而形成抗蚀剂层的步骤；图案化抗蚀剂层以在分割区域中露出基板的第一侧部的步骤；和等离子体刻蚀在基板的分割区域中被露出的第一侧部上的基板。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求在35U.S.C§119下的针对在2017年9月26日提交的日本专利申请号2016-187024的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本申请。

技术领域

本发明涉及元件芯片的制造方法，该制造方法包括用于等离子体蚀刻保持在保持带上的基板的步骤。

背景技术

在基板的表面上形成抗蚀剂图的各种工艺是已知的。基板的厚度趋于变薄。越薄的基板使处理更加困难。专利文献1(JP2005-142026，A)提出了静电吸附载体，其将基板吸附在其上以使该基板易于处理。在这种情况下，当基板被吸附在静电附着载体上时，几个以下步骤包括形成抗蚀剂层、曝光和显影。

另一方面，在等离子体气氛中蚀刻基板的技术领域中，专利文献2(JP2016-048715A，A)提出了在基板上形成抗蚀剂图案之后，通过将基板和框架吸附在带上，基板被保持在由框架支撑的带上。

然而，当形成抗蚀剂图案时，静电吸附载体可能导致吸附的基板上的几个步骤复杂化。此外，静电吸附载体在元件芯片的批量生产过程中需要大量成本。

同时，当在等离子体气氛中蚀刻基板时，如果在基板上形成抗蚀剂图之前可以将基板保持在附着带或保持带上，则更容易处理基板。然而，为了形成抗蚀剂图案，在通过旋转涂布法在基板的一侧涂覆抗蚀溶液之后，在曝光前，需要在例如90摄氏度的温度下烘烤(或加热)涂层。溶剂在较低的烘烤温度下残留在涂层中超过允许范围，这显著地降低了抗蚀剂图案化的精度。然而，另一方面，当涂层在足够高的温度下烘烤以形成抗蚀剂图案时，具有较低的耐热温度的附着带或保持带将劣化，使得不再能够达到其固有功能。

发明内容

为了解决上述缺点，本发明的一个方面提供了一种元件芯片的制造方法，其包括：

制备步骤，其用于制备被保持在保持带上的基板，所述基板包括彼此相反的第一侧部和第二侧部，并且所述基板的第二侧部被保持在保持带上，基板还包括多个元件区域和限定元件区域中的每一个的多个分割区域；

喷涂步骤，其用于喷涂抗蚀剂溶液以形成抗蚀剂溶液的液滴，所述抗蚀剂溶液含有抗蚀剂成分和溶剂；

层形成步骤，其用于通过从所述液滴中蒸发所述溶剂并将所述抗蚀剂成分沉积在被保持在所述保持带上的所述基板的第一侧部上，而形成抗蚀剂层；

图案化步骤，其用于图案化抗蚀剂层以在分割区域中露出基板的第一侧部；和

蚀刻步骤，其用于等离子体刻蚀在基板的分割区域中被露出的第一侧部上的基板。

附图说明

图1A是示意性地示出保持在保持带上的示例性基板的俯视图，并且图1B是沿着图1A中的线B-B截取的截面图；

图2A和2B是示出示例性喷涂装置的示意性结构的概念图；

图3是以剖面形式示出干法蚀刻装置的示意性结构的概念图；

图4是描述根据本发明的一个实施例的元件芯片的制造方法的流程图；