[发明专利]基于石墨烯具有高附着力的复合结构导电膜及其制备方法

权利要求书

1.基于石墨烯具有高附着力的复合结构导电膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.制备氧化石墨烯：采用改进Hummers法制备氧化石墨烯；

S2.二次超声分散：将步骤S1制备得到的氧化石墨烯溶于水中进行二次的超声分散处理，然后得到单层氧化石墨烯水溶液；

S3.PET膜处理：首先对PET膜采用物理刻蚀处理，得到表面凹凸不平的PET膜，清洁、干燥以后，再通过电晕方法在PET膜表面镀上亲水性基团，得到处理后的PET膜；

S4.旋涂：对步骤S3中处理后的PET膜逐步旋涂聚甲基丙烯酸缩水甘油酯溶液、氧化石墨烯水溶液、AgNWs水溶液和氧化石墨烯水溶液，整个过程置于惰性气体氛围中，将制得薄膜干燥后，置于肼蒸汽中还原，反应完用去离子水清洗，最终得到基于石墨烯的具有高附着力的复合结构导电膜。

2.根据权利要求1所述基于石墨烯具有高附着力的复合结构导电膜制备方法，其特征在于，步骤S2中第一次超声分散的温度为30～50℃、频率为10000～25000Hz、流速为1.0～4.0m³/h、循环搅拌速度为1000～2000r/min、超声分散时间为0.5～2.0h；第二次超声分散的温度为30～50℃、频率为18000～25000Hz、流速为2.0～5.0m³/h、循环搅拌速度为1000～2000r/min、超声分散时间为2～5h。

3.根据权利要求1所述基于石墨烯具有高附着力的复合结构导电膜制备方法，其特征在于，步骤S2中所述氧化石墨烯水溶液浓度为0.1～0.5g/L。

4.根据权利要求1所述基于石墨烯具有高附着力的复合结构导电膜制备方法，其特征在于，步骤S3中所述电晕方法是采用电晕机，放电功率为0.3～1.5KVA，转速100～500r/min。

5.根据权利要求1所述基于石墨烯具有高附着力的复合结构导电膜制备方法，其特征在于，步骤S4中所述聚甲基丙烯酸缩水甘油酯溶液浓度为0.2～1.0g/L，溶剂为THF。

6.根据权利要求1所述基于石墨烯具有高附着力的复合结构导电膜制备方法，其特征在于，所述AgNWs水溶液浓度为3.0～15g/L。

7.根据权利要求1所述基于石墨烯具有高附着力的复合结构导电膜制备方法，其特征在于，步骤S4中所述旋涂速度为100～200rpm，时间为10s。

8.根据权利要求1所述基于石墨烯具有高附着力的复合结构导电膜制备方法，其特征在于，步骤S4中所述薄膜干燥温度为70～100℃，时间为5～10min。

9.根据权利要求1所述基于石墨烯具有高附着力的复合结构导电膜制备方法，其特征在于，步骤S4中所述肼蒸汽还原温度100℃，还原时间24h。

10.基于石墨烯具有高附着力的复合结构导电膜，其特征在于，由权利要求1～9任意一项所述基于石墨烯具有高附着力的复合结构导电膜制备方法制备得到。