[发明专利]一种高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201710885203.7 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109560130A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘梅 | 申请（专利权）人： | 南京誉凯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高电子迁移率晶体管 高热导率材料层 势垒层 钝化层 衬底 漏极 源极 源区 氮化镓基高电子迁移率晶体管 半导体器件领域 电气特性 降低器件 器件沟道 热能传导 优化设计 自热效应 成核层 高功率 沟道层 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种高电子迁移率晶体管，包括衬底、衬底以上依次生长的成核层、沟道层、势垒层，以及势垒层上的源极、栅极、漏极、源极与栅极之间及栅极与漏极之间的钝化层；其特征在于，栅极与钝化层之间还设有高热导率材料层，高热导率材料层与势垒层接触。
2.按权利要求1所述一种高电子迁移率晶体管，其特征在于所述衬底采用碳化硅材料，成核层为氮化铝材料，沟道层为氮化镓材料，势垒层为铝镓氮材料；源极、栅极、漏极、源极与栅极之间及栅极与漏极之间的钝化层分别位于势垒层上，其中钝化层为氮化硅材料。
3.按权利要求1所述一种高电子迁移率晶体管，其特征在于所述的高热导率材料层是金刚石晶体、氮化铝、氧化铍、正立方氮化硼或是上述多种高热导率材料的多重薄层。
4.按权利要求1所述一种高电子迁移率晶体管，其特征在于所述源极和漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触。
5.按权利要求1所述一种高电子迁移率晶体管，其特征在于所述的高热导率材料层与钝化层接触面可以是垂直面、斜面或阶梯状表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京誉凯电子科技有限公司，未经南京誉凯电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710885203.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高电子迁移率晶体管
- 下一篇：增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管
- 同类专利
- 专利分类
