[发明专利]形成光刻对准标记的方法

说明书

本发明提供了一种形成光刻对准标记的方法，包括在衬底上形成第一介质层；刻蚀所述第一介质层，在所述对准区形成一凹槽，然后在所述第一凹槽内填充多晶硅；通过去除所述第一介质层，所述第一凹槽内的多晶硅凸出于所述衬底，形成光刻对准标记，减少了专门利用零光罩在衬底上形成光刻对准标记这一步骤，简化了工艺，节约了光罩，降低了器件的制造成本，并且避免了光刻对准标记随着在衬底上形成的介质层加厚而逐渐模糊产生的对准不精确的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种形成光刻对准标记的方法。

背景技术

集成电路制造过程中，光刻是一个重要的工艺流程，其通过涂覆光刻胶和曝光将设计的图形通过光刻胶复制到硅片上。在光刻过程中，对准通常是在硅片上设置对准标记。

现有技术中当工艺制程的前几层为离子注入层时，在离子注入层上无法形成光刻对准标记，一般是用专门的零光罩通过在衬底上蚀刻留下凹陷的印迹而形成对准标记的，也就是说，现有光刻对准标记的形成需要对硅衬底进行刻蚀，而且随着后续外延层厚度的增加，刻蚀的沟槽深度也应随之增加，深度甚至可以达到0.5微米，这对产能是种浪费。而且对位以及光刻对准标记会随着在衬底上形成的介质层的加厚而逐渐模糊，存在精确性的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种形成光刻对准标记的方法，以解决现有技术中存在的产能浪费和由于光刻对准标记变模糊而对准不精确的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种形成光刻对准标记的方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括对准区和闪存区，所述衬底上形成有第一介质层；

刻蚀所述第一介质层，在所述对准区形成一凹槽；

在所述凹槽内填充多晶硅；

去除所述第一介质层，所述凹槽内的多晶硅凸出于所述衬底，形成光刻对准标记。

可选的，刻蚀所述第一介质层，在所述对准区形成一凹槽包括：

在所述第一介质层上涂覆光刻胶并曝光以形成图形化的光刻胶层；

以所述图形化的光刻胶层作为掩模，刻蚀所述第一介质层，在所述对准区形成一凹槽；

可选的，去除所述第一介质层，所述凹槽内的多晶硅凸出于所述衬底，形成光刻对准标记包括：

去除所述第一介质层上的图形化光刻胶层；

去除所述第一介质层；

可选的，采用湿法刻蚀去除所述第一介质层；

可选的，在所述凹槽内填充多晶硅包括：

形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述第一介质层并填充所述凹槽；

去除所述第一介质层上的多晶硅硅层和所述凹槽内的部分多晶硅层；

可选的，所述衬底和所述第一介质层之间还包括第二介质层和第三介质层，所述第二介质层覆盖所述第三介质层；

可选的，所述第一介质层的厚度为90埃-150埃；

可选的，所述第一介质层的材料包括氧化硅、氮氧化层和碳氧化硅中的一种或多种；

可选的，所述第二介质层的厚度为500埃-3000埃；

可选的，所述第二介质层的材料包括氮化硅和/或氮化钛；

可选的，所述第三介质层的厚度为3000埃-4000埃；

可选的，所述第三介质层的材料包括氧化硅、氮氧化层和碳氧化硅中的一种或多种。