[发明专利]多平台硬件动态充电指示及充电闸断装置在审

专利信息
申请号: 201710884895.3 申请日: 2017-09-26
公开(公告)号: CN107733004A 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 费航;胡东平;李晓辉;刘渊;李松辉;孙钦利 申请(专利权)人: 大唐终端技术有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487 代理人: 郭鸿雁
地址: 300203 天津市滨海新区空港经*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 平台 硬件 动态 充电 指示 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子设备技术领域,特别涉及一种多平台硬件动态充电指示及充电闸断装置。

背景技术

在当今的小型终端设备迅速发展的情况下,各个大小平台的厂商推出了各种功能、各种类型的电源管理加音频处理芯片,来配套与之相关的核心芯片使用。但是有个问题就是由于技术和其他条件的限制,部分厂商的芯片无法做到内部自带充电指示的功能(例如,展讯9820)。同时当一些充电功能不是很完善的芯片构成充电电路时,在芯片未启动的情况下无法实现充电指示,而且在用户不拔出充电口时即使充满电后充电器也有可能继续送电到电池,这样会造成充电器或电源管理芯片严重的发热和一部分安全隐患。虽然增加部分厂商推出的外挂充电芯片可以解决这些问题,但是对于一些中低端机来说成本问题会增加而且原芯片功能有可能浪费。

发明内容

本发明的目的旨在至少解决所述技术缺陷之一。

为此,本发明的目的在于提出一种多平台硬件动态充电指示及充电闸断装置,通过设置多个MOS管作为开断控制作用,通过MOS管和比较器的配合,控制LED显示电路的点亮或关闭,从而起到充电指示作用。

为了实现上述目的,本发明的实施例提供一种多平台硬件动态充电指示及充电闸断装置,包括:开断控制电路、判决电路和LED指示电路,其中,

所述开断控制电路包括第一PMOS管和第一NMOS管,所述第一NMOS管连接在外部电源输入端和所述第一PMOS管之间,用于控制所述第一PMOS管,所述第一PMOS管与后方的所述判决电路和LED指示电路并联连接,用于作为控制LED显示电路和整个充电电路的通断,其中,所述第一NMOS管的栅极和漏极之间连接第一电阻并连接到设备芯片的控制输出口,所述第一NMOS管的源极连接所述第一PMOS管的源极,所述第一NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的栅极,

所述判决电路包括第一比较器,所述第一比较器的正极端接充电电源,负极端接地,负向输入端通过分压电阻从充电电源上获取参考电压,正向输入端接电池,所述第一比较器的输出端输出判决信号,其中,当所述电池输入端的电压高于所述参考电压时,所述判决信号为高电平,当所述电池的输入端的电压低于所述参考电压时,所述判决信号为低电平;

所述LED指示电路包括:第二NMOS管、第三NMOS管和第一LED灯、第二LED灯,其中,所述第二NMOS管与所述第一LED灯串联连接,所述第三NMOS管与所述第二LED灯并联连接,所述第二NMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极分别与所述判决电路的第一比较器的输出端相连,以根据所述判断电路输出的判决信号控制所述第一LED灯和第二LED灯的点亮和关闭,其中,当所述判决信号为高电平时,所述第一LED灯点亮,所述第二LED灯关闭;当所述判决信号为低电平时,所述第一LED灯关闭,所述第二LED灯点亮。

进一步,所述第一LED灯和所述第二LED灯显示颜色不同。

进一步,还包括:第二比较器,其中,所述第二比较器的正极端接充电电源,负极端接地,负向输入端通过分压电阻从充电电源上获取参考电压,正向输入端接电池,所述第二比较器的输出端接所述第三NMOS管的栅极,所述第一比较器的输出端接所述第二NMOS管的栅极,其中,所述第一比较器输出第一参考电压,所述第二比较器输出第二参考电压,所述第一参考电压低于所述第二参考电压。

进一步,当所述电池输入端的电压位于所述第一参考电压和第二参考电压之间时,所述第一LED灯点亮,第二LED灯点亮,显示混色;

当所述电池输入端的电压位于所述第一参考电压以下时,所述第一LED灯关闭,第二LED灯点亮;

当所述电池输入端的电压位于所述第二参考电压以上时,所述第一LED灯点亮,第二LED灯关闭。

进一步,还包括:第二比较器、第三LED灯、第二PMOS管和第四NMOS管,其中,所述第二比较器的正极端接充电电源,负极端接地,负向输入端通过分压电阻从充电电源上获取参考电压,正向输入端接电池,所述第二比较器的输出端接所述第二NMOS管的栅极,所述第一比较器的输出端接所述第三NMOS管的栅极,

所述第三LED灯、第二PMOS管和第四NMOS管依次连接,其中,所述第三LED灯的一端接电源,另一端接所述第二PMOS管的源极,所述第二PMOS管的漏极接所述第四NMOS管的漏极,所述第四NMOS管的源极接地,所述第二PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极,所述第四NMOS管的栅极接电源,其中,所述第一比较器输出第一参考电压,所述第二比较器输出第二参考电压,所述第一参考电压低于所述第二参考电压。

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