[发明专利]双掺CaF

权利要求书

1.一种双掺CaF₂晶体中三维波导型分束器的制备方法，其特征在于，包括：

选取双掺CaF₂晶体作为基底材料；

沿所述双掺CaF₂晶体的a轴方向进行灼烧写入，写入踪迹形成多段端面形貌略有不同的包层光波导结构，各段包层结构首尾相接，且中心线始终在同一直线上——沿a轴，直至在出射端形成了两个与入射端结构直径完全相同的包层结构，即得波导分束器。

2.如权利要求1所述的一种双掺CaF₂晶体中三维波导型分束器的制备方法，其特征在于，所述基底材料为Nd,Gd:CaF₂或Yb,Na:CaF₂。

3.如权利要求1所述的一种双掺CaF₂晶体中三维波导型分束器的制备方法，其特征在于，所述写入方法为飞秒激光写入法。

4.如权利要求3所述的一种双掺CaF₂晶体中三维波导型分束器的制备方法，其特征在于，所述飞秒激光的波长为1047纳米、脉冲重复频率为500千赫兹、脉冲宽度为1360飞秒、写入速度为10～30毫米/秒，飞秒激光偏振为圆偏振，样品表面处的飞秒激光平均功率为100～160毫瓦，每条写入踪迹处的重复扫描次数为1～10次，相邻两条写入踪迹间的距离为2～5微米，分束器中心位于晶体表面下100～350微米处。