[发明专利]一种钽酸锂晶片的抛光方法

权利要求书

1.一种钽酸锂晶片的抛光方法，具体包括如下步骤：

a)将切割后的钽酸锂晶片，用粒度为5～20um的磨料研磨，使钽酸锂晶片的粗糙度＜300nm，平坦度＜10um，再进行超声清洗，获得表面具有粗糙结构的钽酸锂研磨片；

b)将钽酸锂研磨片在盛有硝酸和氢氟酸混合酸的密闭容器中直接进行化学腐蚀，腐蚀温度为25℃，腐蚀时间为1～16小时，使钽酸锂晶片的粗糙度＜200nm，平坦度＜5um，再进行超声清洗，获得表面随机无序凹坑结构的钽酸锂腐蚀片；

c)将钽酸锂腐蚀片用单抛机和抛光液进行单面抛光，抛光压力为0.005～1MPa，抛光温度为20～45℃，使钽酸锂晶片的粗糙度＜0.5nm，平坦度＜3um，凹坑凹陷处的横向尺寸为1～3um，纵向深度1nm～5nm，凹陷部分的表面积占钽酸锂晶片表面积的20%～80%；再进行超声清洗，获得最终的钽酸锂单抛片。

2.如权利要求1所述的钽酸锂晶片的抛光方法，其特征在于，所述钽酸锂晶片的表面粗糙度＜0.5nm，平坦度＜3um，厚度为180～200um。

3.如权利要求1所述的钽酸锂晶片的抛光方法，其特征在于，所述步骤a中，钽酸锂切割片的厚度为250～280um，研磨片的厚度为220～250um。

4.如权利要求1所述的钽酸锂晶片的抛光方法，其特征在于，所述步骤a中，所述磨料采用碳化硼、金刚石、氧化铝或碳化硅中的一种或多种的混合物。

5.如权利要求1所述的钽酸锂晶片的抛光方法，其特征在于，所述步骤b中，腐蚀后的翘曲度＜30μm。

6.如权利要求1所述的钽酸锂晶片的抛光方法，其特征在于，所述步骤c中，抛光液为碱性二氧化硅或氧化铝的混合物。