[发明专利]光电转换膜、光电转换元件和电子设备有效
| 申请号： | 201710880142.5 | 申请日： | 2015-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN107827884B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 尾花良哲;根岸佑树;长谷川雄大;竹村一郎;榎修;茂木英昭;松泽伸行 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | C07D471/04 | 分类号： | C07D471/04;C09B47/00;C09B48/00;C09B67/22;H01L27/30;H01L51/46;H01L51/42 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 梁兴龙;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 电子设备 | ||
1.一种成像装置，其包括：
第一电极和第二电极；
光电转换膜，所述光电转换膜选择性地吸收特定波长的光并且配置在第一电极和第二电极之间；
其中，所述光电转换膜包含第一化合物和第二化合物，并且第一化合物和第二化合物形成本体异质混合膜，
其中，第一化合物是由通式(1)表示的亚酞菁衍生物：
通式(1)
其中，通式(1)中的R11～R16每一个是氟，
其中，第二化合物是由通式(4)表示的喹吖啶酮衍生物，
通式(4)
其中通式(4)中的R1～R10每一个独立地选自氢或烷基，
其中，X选自卤素、羟基、芳氧基，以及
其中所述光电转换膜具有其中所述第一化合物和所述第二化合物中的一者处于结晶微粒状态并且所述第一化合物和所述第二化合物中的另一者处于非晶状态的微细结构。
2.根据权利要求1所述的成像装置，其中，第一化合物由下式中的一个表示：
3.根据权利要求1所述的成像装置，其中，第一化合物由下式中的一个表示：
4.根据权利要求1所述的成像装置，还包含：
由受电子材料制成的空穴阻挡层。
5.根据权利要求4所述的成像装置，其中，所述受电子材料是富勒烯。
6.根据权利要求1所述的成像装置，其中，第一化合物吸收波段大于或等于450nm且小于或等于600nm的绿色光。
7.根据权利要求6所述的成像装置，还包括：
配置在所述光电转换膜之下的半导体基板，
其中，所述半导体基板包括光电二极管，和
其中，所述光电二极管吸收红色光或蓝色光且进行光电转换。
8.根据权利要求1所述的成像装置，其中，所述光电转换膜具有其中所述第一化合物处于结晶微粒状态并且所述第二化合物处于非晶状态的微细结构。
9.根据权利要求1所述的成像装置，其中，所述光电转换膜具有其中所述第二化合物处于结晶微粒状态并且所述第一化合物处于非晶状态的微细结构。
10.一种成像装置，其包括：
第一电极和第二电极；
光电转换膜，所述光电转换膜选择性地吸收特定波长的光并且配置在第一电极和第二电极之间；
其中，所述光电转换膜包含第一化合物和第二化合物，并且第一化合物和第二化合物形成本体异质混合膜，
其中，第一化合物是由通式(2)或(3)表示的亚酞菁衍生物：
其中，第二化合物是由通式(4)表示的喹吖啶酮衍生物，
通式(4)
其中通式(4)中的R1～R10每一个独立地选自氢或烷基，
其中，X选自卤素、羟基、芳氧基，以及
其中所述光电转换膜具有其中所述第一化合物和所述第二化合物中的一者处于结晶微粒状态并且所述第一化合物和所述第二化合物中的另一者处于非晶状态的微细结构。
11.根据权利要求10所述的成像装置，其中，第一化合物由下式中的一个表示：
12.根据权利要求10所述的成像装置，还包含：
由受电子材料制成的空穴阻挡层。
13.根据权利要求12所述的成像装置，其中，所述受电子材料是富勒烯。
14.根据权利要求10所述的成像装置，其中，第一化合物吸收波段大于或等于450nm且小于或等于600nm的绿色光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司，未经索尼半导体解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710880142.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
