[发明专利]一种光电晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201710879994.2 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107887486A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 张武安;丁东民;周盛;吴刚;蔡鹏飞 | 申请（专利权）人： | 华润半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 518040 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光电晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种光电晶体管，其特征在于，包括：
第一导电类型的衬底，所述衬底包括第一表面和第二表面；
所述衬底第一表面上依次形成的第一导电类型的第一外延层至第N外延层；
所述第N外延层上形成的第二导电类型的基区；
所述基区上形成的第一导电类型的发射区；
在所述基区上形成的金属化的基极；
在所述发射区上形成的金属化的发射极；
在所述衬底第二表面上形成的金属化的集电极；及
覆盖所述发射区和所述基区并露出所述发射极和所述基极的钝化层；
其中，第N外延层的掺杂浓度大于第N-1外延层的掺杂浓度，N为正整数且N≥2。
2.根据权利要求1所述的光电晶体管，其特征在于，第i外延层的掺杂浓度大于第i-1外延层的掺杂浓度，i为正整数且2≤i＜N。
3.根据权利要求1所述的光电晶体管，其特征在于，所述发射区的掺杂浓度大于所述基区的掺杂浓度，所述基区的掺杂浓度大于所述第N外延层的掺杂浓度，所述第一外延层的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度。
4.根据权利要求1所述的光电晶体管，其特征在于，
所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或者
所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
5.根据权利要求1所述的光电晶体管，其特征在于，所述衬底为单晶硅衬底、碳化硅衬底或者氮化硅衬底。
6.根据权利要求1所述的光电晶体管，其特征在于，所述衬底为N+单晶硅衬底，所述衬底第一表面上依次形成N-外延层EPI 1和N-外延层EPI 2，所述基区为P型掺杂，所述发射区为N型掺杂。
7.根据权利要求6所述的光电晶体管，其特征在于，所述N-外延层EPI 1的电阻率ρ1为1～15ohm.cm，所述N-外延层EPI 2的电阻率ρ2为15～35ohm.cm。
8.根据权利要求7所述的光电晶体管，其特征在于，所述N-外延层EPI 1的厚度d1为8～18um，所述N-外延层EPI 2的厚度d2为25～50um。
9.一种光电晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
形成第一导电类型的衬底，所述衬底包括第一表面和第二表面；
在所述衬底第一表面上依次形成第一导电类型的第一外延层至第N外延层；
在所述第N外延层上形成第二导电类型的基区；
在所述基区上形成第一导电类型的发射区；
在所述基区上形成金属化的基极；
在所述发射区上形成金属化的发射极；
在所述衬底第二表面上形成金属化的集电极；及
形成钝化层，所述钝化层覆盖所述发射区和所述基区并露出所述发射极和所述基极；
其中，第N外延层的掺杂浓度大于第N-1外延层的掺杂浓度，N为正整数且N≥2。
10.根据权利要求9所述的光电晶体管的制作方法，其特征在于，第i外延层的掺杂浓度大于第i-1外延层的掺杂浓度，i为正整数且2≤i＜N。
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