[发明专利]电平转换电路

权利要求书

1.一种电平转换电路，其特征在于，包括：

上拉电路，连接至第一正电源；

下拉电路，连接至第二正电源及公共负电源或地端，所述第二正电源提供相位相反的两个输入信号至所述下拉电路；

限压电路，连接于所述上拉电路与所述下拉电路之间，并连接一偏置电压；

其中，所述下拉电路采用工作电压低、速度快、工作在输入电源域的器件类型，提高电平转换能力，减少面积；所述限压电路和所述上拉电路采用工作电压高、速度慢、工作在输出电源域的器件类型。

2.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述上拉电路包括：

第一PMOS晶体管，其源极连接所述第一正电源，漏极连接第一节点，栅极连接第二节点；

第二PMOS晶体管，其源极连接所述第一正电源，漏极连接第二节点，栅极连接第一节点；

所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管为工作电压高、速度慢、工作在输出电源域的器件类型。

3.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述限压电路保证所述下拉电路器件的漏极电压小于等于所述偏置电压。

4.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，还包括偏置电压产生电路，所述偏置电压产生电路输出所述偏置电压至所述限压电路。

5.根据权利要求4所述的电平转换电路，其特征在于，所述限压电路包括：

第一NMOS晶体管，其漏极连接第一节点，栅极连接所述偏置电压产生电路；

第二NMOS晶体管，其漏极连接第二节点，栅极连接所述偏置电压产生电路；

所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管为工作电压高、速度慢、工作在输出电源域的器件类型。

6.根据权利要求5所述的电平转换电路，其特征在于，所述下拉电路包括：

第三NMOS晶体管，其漏极连接所述第一NMOS晶体管的源极，源极连接公共负电源或地端，栅极连接一个输入信号；

第四NMOS晶体管，其漏极连接所述第二NMOS晶体管的源极，源极连接公共负电源或地端，栅极连接另一个输入信号；

所述第三NMOS晶体管和所述第四NMOS晶体管为工作电压低、速度快、工作在输入电源域的器件类型。

7.一种电平转换电路，其特征在于，包括：

下拉电路，连接至第一负电源；

上拉电路，连接至第二负电源及公共正电源或地端，所述第二负电源提供相位相反的两个输入信号至所述上拉电路；

限压电路，连接于所述上拉电路与所述下拉电路之间，并连接一偏置电压；

其中，所述上拉电路构采用工作电压低、速度快、工作在输入电源域的器件类型，提高电平转换能力，减少面积；所述限压电路和所述下拉电路采用工作电压高、速度慢、工作在输出电源域的器件类型。

8.根据权利要求7所述的电平转换电路，其特征在于，所述下拉电路包括：

第一NMOS晶体管，其源极连接所述第一负电源，漏极连接第一节点，栅极连接第二节点；

第二NMOS晶体管，其源极连接所述第一负电源，漏极连接第二节点，栅极连接第一节点；

所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管为工作电压高、速度慢、工作在输出电源域的器件类型。

9.根据权利要求7所述的电平转换电路，其特征在于，所述限压电路保证所述上拉电路器件的漏极电压大于等于所述偏置电压。

10.根据权利要求7所述的电平转换电路，其特征在于，还包括偏置电压产生电路，所述偏置电压产生电路输出所述偏置电压至所述限压电路。

11.根据权利要求10所述的电平转换电路，其特征在于，所述限压电路包括：

第一PMOS晶体管，其漏极连接第一节点，栅极连接所述偏置电压产生电路；

第二PMOS晶体管，其漏极连接第二节点，栅极连接所述偏置电压产生电路；

所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管为工作电压高、速度慢、工作在输出电源域的器件类型。

12.根据权利要求11所述的电平转换电路，其特征在于，所述上拉电路包括：

第三PMOS晶体管，其漏极连接所述第一PMOS晶体管的源极，源极连接公共正电源或地端，栅极连接一个输入信号；

第四PMOS晶体管，其漏极连接所述第二PMOS晶体管的源极，源极连接公共正电源或地端，栅极连接另一个输入信号；

所述第三PMOS晶体管和所述第四PMOS晶体管为工作电压低、速度快、工作在输入电源域的器件类型。