[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域，所述衬底上具有鳍部材料层；

在所述鳍部材料层上形成分立的牺牲鳍部图形、中心鳍部图形以及边缘鳍部图形，所述牺牲鳍部图形位于所述第二区域的衬底上，所述中心鳍部图形和所述边缘鳍部图形位于所述第一区域的衬底上，且所述边缘鳍部图形位于所述中心鳍部图形和所述牺牲鳍部图形之间，所述牺牲鳍部图形、所述中心鳍部图形以及所述边缘鳍部图形的厚度大于预设值；

对所述中心鳍部图形进行减薄处理以使减薄处理后的所述中心鳍部图形的厚度达到预设值；

以所述牺牲鳍部图形、所述边缘鳍部图形和经减薄处理的中心鳍部图形为掩膜，刻蚀所述鳍部材料层，形成位于所述第二区域上的牺牲鳍部、位于所述第一区域上的边缘鳍部和中心鳍部；

去除所述牺牲鳍部；

去除所述牺牲鳍部之后，在所述边缘鳍部和所述中心鳍部露出的衬底上形成隔离层，形成所述隔离层的过程中，部分宽度的所述边缘鳍部和部分宽度的所述中心鳍部发生反应以形成位于所述边缘鳍部的侧壁和所述中心鳍部的侧壁上的牺牲层，边缘鳍部侧壁上牺牲层厚度与中心鳍部侧壁上牺牲层厚度的差值与所述减薄处理的刻蚀量相等。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，通过干法刻蚀的方式对所述中心鳍部图形进行所述减薄处理。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述减薄处理的刻蚀量在1nm到5nm范围内。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述减薄处理包括：

在所述衬底上形成减薄保护层，所述减薄保护层至少露出所述中心鳍部图形；

以所述减薄保护层为掩膜，进行所述减薄处理。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成隔离层的步骤包括：

在所述边缘鳍部和所述中心鳍部露出的衬底上形成介质层，所述介质层的顶部高于所述边缘鳍部的顶部和所述中心鳍部的顶部；

去除所述介质层的部分厚度，露出剩余所述边缘鳍部的部分侧壁和剩余所述中心鳍部的部分侧壁，以形成所述隔离层。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，通过流体化学气相沉积的方式形成所述介质层。

7.如权利要求5或6所述的形成方法，其特征在于，形成所述介质层的步骤包括：

在所述边缘鳍部和所述中心鳍部露出的衬底上形成前驱层；

对所述前驱层进行固化处理以形成所述介质层。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述固化处理的过程中，使至少部分宽度的所述边缘鳍部和所述前驱层反应，以形成至少位于所述边缘鳍部侧壁上的牺牲层。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述固化处理的过程中，部分宽度的所述边缘鳍部和部分宽度的所述中心鳍部均与所述前驱层反应；所述牺牲层位于所述边缘鳍部的侧壁上，以及所述中心鳍部的侧壁上。

10.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为硅氧化合物，所述介质层的材料为硅氧化合物。

11.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，通过退火的方式进行所述固化处理。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述固化处理的退火温度在600℃到1050℃范围内，退火时间在20min到200min范围内。