[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

衬底，包括辐射感测元件，所述衬底具有接收入射辐射的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

第一绝缘层，位于所述衬底的第二表面之上，所述第一绝缘层包括与所述辐射感测元件的侧面对应的侧面开口，在俯视图中所述侧面开口围绕所述辐射感测元件；

阻挡件，位于所述侧面开口中，所述阻挡件包括辐射吸收材料和辐射反射材料中的一者；以及

阻挡层，所述阻挡层包括辐射吸收材料和辐射反射材料中的一者，在俯视图中所述阻挡层与所述辐射感测元件全部重叠。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一绝缘层包括还包括重叠开口，在俯视图中所述重叠开口与所述辐射感测元件的全部重叠，

其中所述阻挡层位于所述重叠开口中。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中：

所述阻挡层位于所述第一绝缘层之上。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置是背照式图像传感器，所述辐射感测元件被形成为邻近所述衬底的第二表面，所述第一表面是衬底的背面。

5.如权利要求1或3所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

辐射感测单元，所述辐射感测单元包括所述辐射感测元件和开关器件，所述开关器件具有位于所述衬底的第二表面处或者位于所述第二表面之上的电极，

所述半导体装置还包括穿过所述第一绝缘层到所述电极的通路。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括：

在所述第一绝缘层上围绕所述阻挡层的第二绝缘层，以及

在所述第二绝缘层中的与所述通路电连接的布线。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括辐射感测元件，所述衬底具有接收入射辐射的第一表面与所述第一表面相对的第二表面；

在所述衬底的第二表面之上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层中形成第一开口，所述第一开口包括与所述辐射感测元件的侧面对应的侧面开口以及重叠开口，其中在俯视图中所述侧面开口围绕所述辐射感测元件，在俯视图中所述重叠开口与所述辐射感测元件全部重叠；以及

以辐射吸收材料和辐射反射材料中的一者填充所述第一开口。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括辐射感测元件，所述衬底具有接收入射辐射的第一表面与所述第一表面相对的第二表面；

在所述衬底的第二表面之上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层中形成第一开口，所述第一开口包括对应于辐射感测元件的侧面开口，其中在俯视图中所述侧面开口围绕所述辐射感测元件；

以辐射吸收材料和辐射反射材料中的一者填充所述第一开口；

形成第二绝缘层以覆盖所述第一绝缘层以及所述第一开口中的辐射吸收材料和辐射反射材料中的一者；

在第二绝缘层中形成第二开口，在俯视图中所述第二开口与所述辐射感测元件的全部重叠；以及

以辐射吸收材料和辐射反射材料中的一者填充所述第二开口。

9.如权利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，所述半导体装置是背照式图像传感器，所述辐射感测元件被形成为邻近所述衬底的第二表面，所述第一表面是衬底的背面。