[发明专利]在存储设备中读取数据的方法及非易失性存储设备

说明书

在非易失性存储设备中读取数据的方法中，所述非易失性存储设备包括被布置在多个字线和多个位线的交叉点处的多个存储单元，接收对所述多个字线中的第一字线的读取请求；对与所述第一字线相邻的第二字线执行读取操作；以及基于从所述第二字线的存储单元读取的数据对所述第一字线执行读取操作。通过基于从所述第二字线的存储单元读取的数据的编程状态和所述非易失性存储设备的操作参数中的至少一个来调整被在所述第一字线的读取操作期间施加到所述第一字线的恢复读取电压的电平，而执行对所述第一字线的读取操作。

对相关申请的交叉引用

该申请要求于2016年9月23日向韩国专利局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2016-0121862的优先权，其公开内容通过引用全部合并于此。

技术领域

示例性实施例一般地涉及半导体存储设备，更具体地涉及在非易失性存储设备中读取数据的方法及非易失性存储设备。

背景技术

典型地，可以将半导体存储设备分类为易失性半导体存储设备和非易失性半导体存储设备。易失性半导体存储设备可以高速执行读取操作和写入操作，而当设备断电时存储在其中的内容可能丢失。非易失性半导体存储设备即使在断电时也可以保留存储在其中的内容。为此，非易失性半导体存储设备可以用于存储无论设备通电或断电时都要保留的内容。

非易失性半导体存储设备可以包括掩膜只读存储器(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦可编程ROM(EPROM)、电可擦可编程ROM(EEPROM)等。

闪速存储设备可以是典型的非易失性存储设备。闪速存储设备可以被广泛地用作电子装置的语音和图像存储介质，所述电子装置诸如是计算机、蜂窝电话、PDA、数字相机、摄像录像机、语音记录仪、MP3播放器、手持PC、游戏机、传真机、扫描仪、打印机等。

在闪速存储设备的读取操作中，连接到特定字线的存储单元的阈值电压分布可能由于来自该特定字线的相邻字线的耦合而偏移。因而，期望降低闪速存储设备的读取操作中的相邻字线耦合。

发明内容

一些示例性实施例涉及提供能够提高性能的在非易失性存储设备中读取数据的方法。

一些示例性实施例涉及提供能够提高性能的非易失性存储设备。

根据示例性实施例，在一种在非易失性存储设备中读取数据的方法中，所述非易失性存储设备包括被布置在多个字线和多个位线的交叉点处的多个存储单元，接收对所述多个字线中的第一字线的读取请求，对与所述第一字线相邻的第二字线执行读取操作，以及基于从所述第二字线的存储单元读取的数据对所述第一字线执行读取操作。通过基于从所述第二字线的存储单元读取的数据的编程状态和非易失性存储设备的操作参数中的至少一个来调整在所述第一字线的读取操作期间被施加到所述第一字线的恢复读取电压的电平，而执行对所述第一字线的读取操作。

根据示例性实施例，在一种在非易失性存储设备中读取数据的方法中，所述非易失性存储设备包括被布置在多个字线和多个位线的交叉点处的多个存储单元，接收对所述多个字线中的第一字线的读取请求，对与所述第一字线相邻的第二字线执行读取操作，以及基于从所述第二字线的存储单元读取的数据对所述第一字线执行读取操作。在保持施加到所述第一字线的恢复读取电压的电平的同时，通过基于从所述第二字线的存储单元读取的数据的编程状态和非易失性存储设备的操作参数中的至少一个来将与每个位线相对应的每个读出节点的电压锁存至少两次作为第一数据和第二数据，而执行对所述第一字线的读取操作。