[发明专利]用于处理副产物的设备及用于确定收集器的更换期的方法在审
申请号: | 201710870113.0 | 申请日: | 2017-09-22 |
公开(公告)号: | CN107871658A | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 金泰勳;金俊浩 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 杨贝贝,臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 副产物 设备 确定 收集 更换 方法 | ||
1.一种用于处理工艺副产物的设备,其特征在于,所述设备包括收集器,所述收集器安装在工艺腔室与被配置成用于控制所述工艺腔室的压力的阀之间的排放管线上,以收集从所述工艺腔室排出的所述工艺副产物,
其中所述收集器包括:
收集器外壳,所述收集器外壳与所述排放管线连通;以及
中空的收集结构,安装在所述收集器外壳中以收集所述工艺副产物,且被配置成控制所述工艺副产物的流动路径。
2.根据权利要求1所述的用于处理工艺副产物的设备,其中所述收集结构具有从所述收集器外壳的流入孔到排出孔逐渐减小的横截面积。
3.根据权利要求1所述的用于处理工艺副产物的设备,其中设置多个所述收集结构以提供具有彼此不同的横截面积的流动路径,并且
多个所述收集结构被安置成从所述排放管线的中心部分向外隔开。
4.根据权利要求1所述的用于处理工艺副产物的设备,其中所述收集器还包括经由所述收集器外壳以及所述收集结构安装的冷却管线。
5.根据权利要求1所述的用于处理工艺副产物的设备,其中所述收集器可更换地安装。
6.根据权利要求1所述的用于处理工艺副产物的设备,还包括加热器,所述加热器与所述收集器的后端连通,以对所述工艺副产物进行加热。
7.根据权利要求1所述的用于处理工艺副产物的设备,还包括等离子体处理单元,所述等离子体处理单元与所述收集器的后端连通,以对所述工艺副产物进行等离子体处理且由此使所述工艺副产物分解。
8.根据权利要求7所述的用于处理工艺副产物的设备,其中所述等离子体处理单元包括:
反应器,所述反应器与所述收集器外壳连通,以提供所述工艺副产物流动穿过的流动空间;
等离子体产生器,所述等离子体产生器安装在所述反应器外部,以向流动穿过所述反应器的内部的所述工艺副产物施加活化能;以及
电源,所述电源被配置成对所述等离子体产生器供电。
9.根据权利要求8所述的用于处理工艺副产物的设备,其中所述等离子体产生器包括围绕所述反应器的电感耦合等离子体线圈。
10.根据权利要求1所述的用于处理工艺副产物的设备,还包括控制单元,所述控制单元被配置成确认所述阀的切换程度,以确定所述收集器的更换期。
11.根据权利要求10所述的用于处理工艺副产物的设备,其中所述阀包括节流阀,所述节流阀被配置成使阀板旋转且由此控制所述工艺腔室的所述压力,并且
所述控制单元将在先前过程中所测量的所述阀板的旋转角与在当前过程中所测量的所述阀板的旋转角进行比较,以确定所述收集器的所述更换期。
12.根据权利要求1到11中任一权利要求所述的用于处理工艺副产物的设备,其中所述工艺副产物含有碳、氢以及氧中的至少一种元素。
13.一种用于确定收集器的更换期的方法,其特征在于,所述收集器安装在工艺腔室与被配置成用于控制所述工艺腔室的压力的阀之间的排放管线上,以收集从所述工艺腔室排出的工艺副产物,所述方法包括:
根据所述工艺腔室的压力来确认所述阀的当前位置值;
根据在先前过程中所测量的所述阀的位置值,计算出所述阀的经确认所述当前位置值的变化;以及
计算出在设定临界值内的重复变化次数,以确定所述收集器的所述更换期。
14.根据权利要求13所述的用于确定收集器的更换期的方法,其中所述阀包括节流阀,所述节流阀被配置成使阀板旋转且由此控制所述工艺腔室的所述压力,并且
所述阀的所述位置值包括所述阀板的角度值。
15.根据权利要求13所述的用于确定收集器的更换期的方法,其中在所述先前过程中所测量的所述阀的所述位置值包括刚好在更换所述收集器之后所测量的所述阀的位置值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造