[发明专利]一种晶圆减薄方法及装置

权利要求书

1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，所述方法包括：

在晶圆的一侧加工制作若干芯片，得到待减薄的第一半导体晶圆；

通过激光源从所述第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，得到减薄的第二半导体晶圆。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过激光源从所述待第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，包括：

通过激光源垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成灼伤面；

从所述灼伤面处剥离所述预设厚度的第三半导体晶圆。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过激光源垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成灼伤面，包括：

通过点激光源逐点垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成多个灼伤点构成的灼伤面；或者，

通过线激光源逐线垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成多条灼伤线构成的灼伤面；或者，

通过面激光源垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成灼伤面。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述得到减薄的第二半导体晶圆之后，还包括：

在所述第二半导体晶圆的背面覆盖金属层；或者，

将所述第二半导体晶圆的背面抛光，在抛光后的所述第二半导体晶圆的背面覆盖金属层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过激光源从所述第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆之后，还包括：

对所述第三半导体晶圆的切割面进行抛光，以所述第三半导体晶圆作为衬底晶圆，再次从所述在晶圆的一侧加工制作若干芯片的操作开始执行，直到剩余晶圆的厚度小于预设阈值为止。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过激光源从所述第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆之后，还包括：

对所述第三半导体晶圆的切割面进行抛光；

将抛光后的所述第三半导体晶圆作为晶圆生长的籽晶获得晶锭；

将所述晶锭切割为多个晶圆。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设厚度大于或等于100微米；所述第二半导体晶圆的半导体衬底的厚度在25-250微米之间。

8.一种晶圆减薄装置，其特征在于，所述装置包括：

芯片设置模块，用于在晶圆的一侧加工制作若干芯片，得到待减薄的第一半导体晶圆；

切割模块，用于通过激光源从所述第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，得到减薄的第二半导体晶圆。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述切割模块包括：

照射单元，用于通过激光源垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成灼伤面；

剥离单元，用于从所述灼伤面处剥离所述预设厚度的第三半导体晶圆。

10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

晶圆复用模块，用于对所述第三半导体晶圆的切割面进行抛光，以所述第三半导体晶圆作为衬底晶圆，再次从所述在晶圆的一侧加工制作若干芯片的操作开始执行，直到剩余晶圆的厚度小于预设阈值为止；或者，用于对所述第三半导体晶圆的切割面进行抛光；将抛光后的所述第三半导体晶圆作为晶圆生长的籽晶获得晶锭；将所述晶锭切割为多个晶圆。