[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括栅极区域，所述栅极区域之间的基底内具有源漏掺杂区；

在所述源漏掺杂区上形成电连接层，所述电连接层的材料为金属，或所述电连接层包括掺杂层以及位于掺杂层上的金属硅化物层；

在所述基底上形成栅极结构和介质层，所述栅极结构位于栅极区域基底上，所述介质层覆盖电连接层以及被暴露出的部分栅极结构；

去除所述源漏掺杂区上的介质层，直至暴露出电连接层，形成接触孔。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述电连接层的厚度为：20纳米～50纳米。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述电连接层的厚度与栅极结构的高度比值为：1:3～1:2。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述接触孔的深宽比为：3:1～8:1。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层包括第一介质层以及位于第一介质层上的第二介质层；所述第一介质层、第二介质层、栅极结构和源漏掺杂区的形成步骤包括：在所述栅极区域基底上形成伪栅结构；在所述伪栅结构两侧的基底内形成所述源漏掺杂区；在所述基底和源漏掺杂区上形成所述第一介质层，所述第一介质层覆盖伪栅结构的侧壁，且暴露出伪栅结构的顶部表面；去除所述伪栅结构，在所述第一介质层内形成伪栅开口；在所述伪栅开口内形成栅极结构；在所述第一介质层和栅极结构上形成第二介质层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一介质层之前，形成所述电连接层；所述基底包括鳍部，所述栅极结构横跨所述鳍部。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述电连接层的材料为金属时，所述电连接层的形成步骤包括：在所述基底和源漏掺杂区上、以及伪栅结构的侧壁和顶部表面形成初始电连接膜；去除部分初始电连接膜，形成电连接膜，所述电连接膜的顶部表面低于伪栅结构的顶部表面；去除垂直于所述鳍部延伸方向上源漏掺杂区之间基底上的电连接膜，形成所述电连接层；所述金属包括：钨、铝或者铜。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述电连接层包括掺杂层以及位于掺杂层上的金属硅化物层时，所述电连接层的形成步骤包括：在所述基底和源漏掺杂区上、以及伪栅结构的侧壁和顶部表面形成初始掺杂材料层；去除部分初始掺杂材料层，形成初始掺杂膜，所述初始掺杂膜的顶部表面低于伪栅结构的顶部表面；沿垂直于所述鳍部延伸方向上，去除源漏掺杂区之间的初始掺杂膜，形成所述掺杂膜；对部分所述掺杂膜进行金属化处理，形成所述掺杂层和位于掺杂层上的金属硅化物层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掺杂层的材料为半导体材料；所述掺杂层的材料包括硅，所述掺杂层中具有掺杂离子。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掺杂离子的浓度为：1.0e14atm/cm²～1e20atm/cm²。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括：栅介质层和位于栅介质层上的栅极层；所述接触孔的形成步骤还包括：去除栅极结构上的介质层，直至暴露出栅极层。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成接触孔之后，所述形成方法还包括：在所述接触孔内的电连接层上形成插塞。