[发明专利]用于分离多晶硅‑碳夹头的装置和方法

权利要求书

1.一种用于将多晶硅与碳夹头分离的装置，所述装置包括：

反应器，其包括用于固定碳夹头下端的支架，其中多晶硅碎片附着在所述碳夹头的外表面上；和

加热线圈，其设置在反应器的外表面周围，使得其围绕附着在碳夹头上的多晶硅碎片，

其中所述加热线圈用由从外部源施加的高频电流感应的电流选择性地加热所述碳夹头。

2.根据权利要求1所述的装置，其中在碳夹头下端的中心处形成通孔，其中将用于向碳夹头施加电流的电极插入到插入孔中，和

其中将支架插入通孔中以将碳夹头固定在反应器内。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述支架固定碳夹头的下端，其中多晶硅碎片附着到碳夹头的上端和下端之间的部分。

4.根据权利要求3所述的装置，其中碳夹头通过支架进行固定，而没有多晶硅碎片附着在碳夹头的上端和下端。

5.根据权利要求1所述的装置，其中对所述加热线圈施加频率为500kHz以下的电流，以选择性地感应加热所述碳夹头。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述支架还包括用于加热所述碳夹头下端的辅助加热块。

7.根据权利要求1所述的装置，其还包括冷却单元，其中当碳夹头被加热线圈加热时，冷却单元将与碳夹头不接触的多晶硅碎片的一部分冷却。

8.一种用于分离附着在碳夹头的外表面上的多晶硅碎片的方法，该方法包括：

将碳夹头的下端固定到支架上，多晶硅碎片附着在碳夹头的外表面上；

通过碳夹头的感应加热来熔化碳夹头和多晶硅碎片之间的接触表面；和

当接触表面熔化时，将多晶硅碎片与碳夹头分离，使得多晶硅碎片以其自身重量自由落下。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述碳夹头和所述多晶硅碎片之间的所述接触表面被从已被感应加热的碳夹头传递的热量熔化。

10.根据权利要求8所述的方法，其中被施加以感应加热所述碳夹头的电流的频率等于或小于500kHz。

11.根据权利要求8所述的方法，还包括：在将附着在碳夹头的外表面上的部分多晶硅碎片分离之后，向碳夹头施加频率为500kHz-3MHz的电流，从而去除残留在碳夹头的外表面上的多晶硅碎片残留物。