[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，包含：

形成一栅极结构于一基底上；

形成一层间介电层于该栅极结构周围；

进行一固化制作工艺；以及

进行一金属栅极置换制作工艺将该栅极结构转换为金属栅极。

2.如权利要求1所述的方法，还包含：

形成一接触洞蚀刻停止层于该栅极结构上；

形成该层间介电层于该接触洞蚀刻停止层上；

进行该固化制作工艺并使该接触洞蚀刻停止层的氧浓度不同于该层间介电层的氧浓度。

3.如权利要求2所述的方法，其中该层间介电层的氧浓度高于该接触洞蚀刻停止层的氧浓度。

4.如权利要求2所述的方法，其中该接触洞蚀刻停止层表面的氧浓度高于该接触洞蚀刻停止层内的氧浓度。

5.如权利要求1所述的方法，还包含进行该固化制作工艺，并使该接触洞蚀刻停止层以及该层间介电层具有相同介电常数。

6.如权利要求1所述的方法，另包含形成一间隙壁于该栅极结构周围，其中该间隙壁包含一偏位间隙壁以及一主间隙壁。

7.如权利要求6所述的方法，还包含进行该固化制作工艺使该主侧壁、该接触洞蚀刻停止层以及该层间介电层具有相同介电常数。

8.如权利要求1所述的方法，还包含：

进行一平坦化制作工艺去除部分该层间介电层；以及

进行该金属栅极置换制作工艺。

9.如权利要求1所述的方法，其中该固化制作工艺的温度介于摄氏500度至摄氏800度。

10.如权利要求1所述的方法，其中该固化制作工艺的时间介于50分钟至70分钟。

11.一种半导体元件，包含：

栅极结构，设于一基底上；

间隙壁，环绕该栅极结构；

接触洞蚀刻停止层，设于该间隙壁旁；以及

层间介电层，环绕该接触洞蚀刻停止层，其中该接触洞蚀刻停止层的氧浓度不同于该层间介电层的氧浓度。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该层间介电层的氧浓度高于该接触洞蚀刻停止层的氧浓度。

13.如权利要求11所述的半导体元件，其中该接触洞蚀刻停止层表面的氧浓度高于该接触洞蚀刻停止层内的氧浓度。

14.如权利要求11所述的半导体元件，其中该接触洞蚀刻停止层以及该层间介电层具有相同介电常数。

15.如权利要求11所述的半导体元件，其中该间隙壁包含一偏位间隙壁以及一主间隙壁。

16.如权利要求15所述的半导体元件，其中该主侧壁、该接触洞蚀刻停止层以及该层间介电层具有相同介电常数。

17.如权利要求15所述的半导体元件，其中该主间隙壁以及该接触洞蚀刻停止层包含相同材料。