[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，包含：

提供一基底，该基底具有第一区域以及第二区域；

形成一第一栅极结构于该第一区域以及一第二栅极结构于该第二区域；

形成一第一间隙壁环绕该第一栅极结构；

形成一第一外延层于该第一间隙壁两侧；

形成一缓冲层于该第一栅极结构上；以及

形成一接触洞蚀刻停止层连续覆盖该第一区域和该第二区域并且直接设于该第一区域的该缓冲层上以及该第二区域的该第二栅极结构上。

2.如权利要求1所述的方法，还包含：

形成一遮盖层于该第一区域以及该第二区域；

形成一第一掩模层于该遮盖层上；以及

去除部分该第一掩模层以及部分该遮盖层以形成该第一间隙壁于该第一区域。

3.如权利要求2所述的方法，还包含：

在形成该第一外延层之后去除该第一区域及该第二区域的该第一掩模层；

形成该缓冲层于该第一栅极结构以及该第二区域的该遮盖层上；

形成一第二掩模层于该缓冲层上；

去除部分该第二掩模层、部分该缓冲层以及部分该遮盖层以形成一第二间隙壁以及一第三间隙壁环绕该第二栅极结构；

形成一第二外延层于该第三间隙壁两侧；以及

去除该第一区域以及该第二区域的该第二掩模层。

4.如权利要求3所述的方法，其中该第一间隙壁以及该第二间隙壁包含相同材料。

5.如权利要求3所述的方法，其中该缓冲层以及该第三间隙壁包含相同材料。

6.如权利要求1所述的方法，其中该缓冲层以及该第一间隙壁包含相同材料。

7.如权利要求1所述的方法，其中该缓冲层以及该接触洞蚀刻停止层包含不同材料。

8.如权利要求1所述的方法，其中该第一区域包含一NMOS区域以及该第二区域包含一PMOS区域。

9.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成一层间介电层于该接触洞蚀刻停止层上；以及

进行一金属栅极置换制作工艺将该第一栅极结构以及该第二栅极结构转换为第一金属栅极以及一第二金属栅极。

10.一种半导体元件，包含：

基底，该基底具有第一区域以及第二区域；

第一栅极结构，设于该第一区域；

第二栅极结构，设于该第二区域；

第一间隙壁，环绕该第一栅极结构；

第二间隙壁，环绕该第二栅极结构；第一外延层，设于该第一间隙壁两侧；

缓冲层，设于该第一外延层以及该第一间隙壁上；以及

接触洞蚀刻停止层，连续覆盖该第一区域和该第二区域并且直接设于该缓冲层及该第二间隙壁上。

11.如权利要求10所述的半导体元件，还包含：

第三间隙壁，设于该第二间隙壁旁；以及

第二外延层，设于该第三间隙壁两侧，其中

该接触洞蚀刻停止层直接设于该第二外延层以及该第三间隙壁上。

12.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第一间隙壁以及该第二间隙壁包含相同材料。

13.如权利要求11所述的半导体元件，其中该缓冲层以及该第三间隙壁包含相同材料。

14.如权利要求10所述的半导体元件，其中该缓冲层以及该第一间隙壁包含相同材料。

15.如权利要求10所述的半导体元件，其中该缓冲层以及该接触洞蚀刻停止层包含不同材料。