[发明专利]一种用于铝合金活塞顶面Cr/CrNx类隔热膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710862093.2 申请日: 2017-09-21
公开(公告)号: CN107587110B 公开(公告)日: 2019-10-08
发明(设计)人: 齐福刚;李贝贝;欧阳晓平;曹红帅;罗文忠;钟向丽;陈静;赵镍;刘应都 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: C23C14/16 分类号: C23C14/16;C23C14/06;C23C14/32;F02F3/14
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 颜勇
地址: 411105 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 铝合金 活塞 cr crnx 隔热 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于铝合金活塞顶面Cr/CrNx类隔热膜,其特征在于:所述Cr/CrNx类隔热膜由附着铝合金活塞顶面上的纯金属Cr层以及均匀包覆在纯金属Cr层上的CrNx层组成;纯金属Cr层的厚度为1~3μm,CrNx层的总厚度2~7μm;

所述用于铝合金活塞顶面Cr/CrNx类隔热膜通过下述步骤制备;所述步骤包括:

步骤一

将清洁干燥的铝合金活塞置于磁过滤阴极真空弧沉积系统中,打开磁过滤钛电源弧,以纯金属Cr靶为阴极,在清洁干燥的铝合金活塞的顶面上沉积纯金属Cr层;得到顶面带有纯金属Cr层的铝合金活塞;

步骤二

以纯金属Cr靶为阴极,以氮气为工作气体,调节氮气通气量,在步骤一所得顶面带有纯金属Cr层的铝合金活塞的纯金属Cr层上生成CrNX层;

沉积纯金属Cr层和CrNx层时,控制磁过滤阴极真空弧沉积系统的负偏压为45-55V,起弧电流为95-105A,弯管磁场为1.25-1.75A,直管磁场为3-4A。

2.根据权利要求1所述的一种用于铝合金活塞顶面Cr/CrNx类隔热膜,其特征在于:

所述CrNx层由i层N含量不同的Cr-N层组成,所述i大于等于2;

所述CrNx层由N含量为9-67wt%的单层Cr-N构成。

3.根据权利要求2所述的一种用于铝合金活塞顶面Cr/CrNx类隔热膜,其特征在于:当所述CrNx层由i层N含量不同的Cr-N层组成时,与纯金属Cr层直接接触的Cr-N层中,N的含量为9-25.6wt%。

4.根据权利要求1所述的一种用于铝合金活塞顶面Cr/CrNx类隔热膜,其特征在于:

当所述CrNx层由i层N含量不同的Cr-N层组成时,其制备方法为:先在步骤一所得顶面带有纯金属Cr层的铝合金活塞的纯金属Cr层上生成第一CrNX层;然后继续以纯金属Cr靶为阴极,以氮气为工作气体,调节氮气通气量在第一Cr-N层上沉积第二Cr-N层;按照制备第二Cr-N层的操作,制备第i层Cr-N层;得到成品。

5.根据权利要求1所述的一种用于铝合金活塞顶面Cr/CrNx类隔热膜,其特征在于:所述纯金属Cr靶中,Cr的含量大于等于99.99wt%。

6.根据权利要求1所述的一种用于铝合金活塞顶面Cr/CrNx类隔热膜,其特征在于:

沉积纯金属Cr层时,控制磁过滤阴极真空弧沉积系统内的真空度大于等于4.0×10-3Pa。

7.根据权利要求1所述的一种用于铝合金活塞顶面Cr/CrNx类隔热膜,其特征在于:

当所述CrNx层由N含量为9-67wt%的单层Cr-N构成时,氮气的通气量为5-40sccm;时间为80-120min;

当所述CrNx层由i层N含量不同的Cr-N层组成时,氮气的通气量为5-40sccm;第i层的制备时间为[(0.9-1.1)×120/i]min。

8.根据权利要求1所述的一种用于铝合金活塞顶面Cr/CrNx类隔热膜,其特征在于: Cr/CrNx类隔热膜的摩擦系数为0.2~0.7。

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